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【24h】

Space Program Scheme for 3-D NAND Flash Memory Specialized for the TLC Design

机译：TLC设计专用的3D NAND闪存的空间程序方案

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A new space program (PGM) scheme is proposed to achieve reliable triple-level-cell (TLC) 3-D NAND flash memory. Considering the lateral diffusion issue of stored electrons in the nitride storage layer, the proposed scheme stores electrons in the nitride layer of the space region between adjacent cells to suppress the lateral movement of trapped electrons in the programmed target cells. The effect of the space PGM can be sustained until 104 s at 90 °C and up to 1k read cycles at 25 °C. The programmed space region of the nitride layer improves the retention characteristics of the cells in the PGM state by 40% and remarkably reduces the Vth redistribution.
机译：提出了一种新的太空计划（PGM）方案，以实现可靠的三级单元（TLC）3-D NAND闪存。考虑到存储在氮化物存储层中的电子的横向扩散问题，提出的方案将电子存储在相邻单元之间的空间区域的氮化物层中，以抑制被编程的目标单元中捕获的电子的横向运动。 PGM空间的影响可以持续到10 4 在90°C的温度下可读取s，在25°C的温度下最多可读取1k。氮化物层的编程空间区域将PGM状态的单元的保留特性提高了40％，并显着降低了V 第 重新分配。

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