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首页> 外文会议>IEEE Symposium on VLSI Technology >Integration of 2D Black Phosphorus Phototransistor and Silicon Photonics Waveguide System Towards Mid-Infrared On-Chip Sensing Applications
【24h】

Integration of 2D Black Phosphorus Phototransistor and Silicon Photonics Waveguide System Towards Mid-Infrared On-Chip Sensing Applications

机译：二维黑磷光电晶体管和硅光子学波导系统的集成，可用于中红外片上传感应用

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We demonstrate the first black phosphorus phototransistor integrated with Si photonics waveguide system towards mid-infrared (MIR) sensing. At a wavelength of 3.78 μm, the black phosphorus phototransistor achieves a high responsivity of 0.7 A/W under a small drain bias of -1 V at room-temperature. Additionally, the device offers gate and drain bias tunability to suppress dark current while simultaneously optimize photo-response performance. Our results reveal the potential of black phosphorus for MIR detection to enable the realization of integrated on-chip systems for MIR sensing applications.
机译：我们展示了第一个集成了Si光子波导系统的黑磷光电晶体管，用于中红外（MIR）传感。在3.78μm的波长下，黑磷光电晶体管在室温下在-1 V的小漏极偏置下可实现0.7 A / W的高响应度。此外，该器件提供栅极和漏极偏置可调性，以抑制暗电流，同时优化光响应性能。我们的结果揭示了黑磷用于MIR检测的潜力，从而可以实现用于MIR感测应用的集成片上系统。

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