常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定

机译：霍尔效应测量Mg注射GaN层在常压下激活

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縦型GaN MOSFET実現に向けては、コスト、信頼性の観点からp型層をイオン注入で形成するのが好ましい。我々はこれまでに、Mg注入層にNを連続注入することでpn接合耐圧が向上することを報告した[1]。今回はこのイオン注入層の電気特性評価として、ホール特性の温度依存性を取得した結果を報告する。なお、ホール測定には安定したコンタクトの形成が必要であり、今回、コンタクト層としてp+エピ層を用いる構造を検討し評価を実施した。

机译：为了实现垂直GaN MOSFET，从成本和可靠性的观点来看，优选通过离子注入形成p型层。我们报道了通过在Mg注射层中连续注射N来改善PN结耐压。[1]此时，报道了作为离子注入层的电特征评估的孔特性获取温度依赖性的结果。此外，空穴测量需要稳定的接触，并将使用P + EPI层的结构作为接触层进行检查，并进行评估。

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来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|11.248-11.248|共1页
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作者
田中亮; 高島信也; 上野勝典; 江戸雅晴; 堀田昌宏; 須田淳;
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