Multi-stage G-band (140-220 GHz) InP HBT amplifiers

机译：多级G波段（140-220 GHz）INP HBT放大器

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We report three-stage monolithic amplifiers for the 140-220 GHz frequency band. Two designs have been fabricated in an InAlAs/InGaAs transferred-substrate HBT technology. The first design exhibited a small-signal gain of 12.0 dB at 170 GHz, and the second design exhibited a gain of 8.5 dB at 195 GHz.

机译：我们报告了140-220 GHz频段的三级单片放大器。在Inalas / IngaAs转移基板HBT技术中制造了两种设计。第一个设计在170GHz处表现出12.0 dB的小信号增益，第二种设计在195 GHz下表现出8.5 dB的增益。

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来源
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》|2002年||共4页
会议地点
作者
M. Urteaga; D. Scott; S. Krishnan; Y. Wei; M. Dahlstrom; Z. Griffith; N. Parthasarathy; M. Rodwell;
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中图分类 TN43-53;
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