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Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
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1.
High-performance and high-uniformity InP/InGaAs/InP DHBT technology for high-speed optical communication systems
机译:
高速光通信系统的高性能和高均匀性INP / INGAAS / INP DHBT技术
作者:
Y. Yang
;
J. Frackviak
;
C. T. Liu
;
C. J. Chen
;
L. -L. Chua
;
W. J. Sung
;
A. Tate
;
J. Tong
;
R. Reyes
;
R. Kopf
;
R. Ruel
;
D. Werder
;
V. Houtsma
;
G. Georgiou
;
J. S. Weiner
;
Y. Baeyens
;
Y. K. Chen
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
2.
Gallium nitride: use in high power control applications
机译:
氮化镓:用于高功率控制应用
作者:
Robert H. Caverly
;
Nikolai
;
V. Drozdovski
;
Colin Joye
;
Michael Quinn
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
3.
A new MMIC sampling phase detector design for space applications
机译:
空间应用的新型MMIC采样相位检测器设计
作者:
S. Desgrez
;
D. Langrez
;
M. Delmond
;
L. -C. Cayrou
;
J. -L. Cazaux
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Sampling phase detector;
MMIC;
4.
Designing high-speed MMICs and OEICs for 10 Gb/s and 40 Gb/s optical transponder front-ends
机译:
设计高速MMIC和OEIC 10 GB / s和40 GB / S光学应答器前端
作者:
Kirk Laursen
;
Cindy Yuen
;
Duc Chu
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
10 Gb/s;
40 Gb/s;
TIA;
Limiting amp;
Modulator driver;
Laser driver;
5.
Improvement of microscopic and macroscopic uniformity in 4-inch InP substrate for IC application by vertical boat growth
机译:
通过垂直船生长改善4英寸INP衬底的微观和宏观均匀性
作者:
Tomohiro Kawase
;
Noriyuki Hosaka
;
Katsuhi Hashio
;
Masato Matsushima
;
Takashi Sakurada
;
Ryusuke Nakai
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
6.
High reliability in low noise InGaP gated PHEMTs
机译:
低噪音Ingap GateD Phemts的高可靠性
作者:
C. S. Wang
;
H. K. Huang
;
Y. H. Wang
;
C. L. Wu
;
C. S. Chang
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
InGaP PHEMTs;
Reliability;
Noise;
Stress;
Temperature effect;
7.
An InP HBT common-base amplifier with tunable transimpedance for 40 GB/S applications
机译:
INP HBT公共放大器,可调谐跨阻抗40 GB / s应用
作者:
Kevin W. Kobayashi
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
8.
RF power amplifers for wireless communications
机译:
用于无线通信的RF功率放大器
作者:
C. E. Weitzel
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
PAE;
Power amplifier;
HBT;
HFET;
BJT;
LDMOS;
CDMA;
WCDMA;
GSM;
DCS;
GaAs;
Si;
SiGe;
ACP;
9.
A 40 Gb/s integrated differential PIN+TIA with DC offset control using InP SHBT technology
机译:
具有使用INP SHBT技术的40 GB / S集成差分引脚+ TIA,具有直流胶印控制
作者:
D. Caruth
;
S. C. Shen
;
D. Chan
;
M. Feng
;
J. Schutt-Aine
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
10.
Adaptive modeling and design of highly integrated 3D microwave-millimeter wave radio front-ends
机译:
高度集成3D微波 - 毫米波无线电前端的自适应建模与设计
作者:
E. M. Tentzeris
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
11.
Reliability of InGaP emitter HBTs at high collector voltage
机译:
在高集电极电压下INGAP发射器HBT的可靠性
作者:
Bob Yeats
;
Mathias Bonse
;
Paul Chandler Morgan Culver
;
Don DAvanzo
;
Gilbert Essilfie
;
Craig Hutchinson
;
David Kuhn
;
Tom Low
;
Tim Shirley
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
InGaP HBT reliability breakdown lifetest HTOL BVceo BVcbo;
12.
A 16 GHz MMIC image-rejection resistive mixer with InP HEMTs
机译:
具有INP HEMTS的16 GHz MMIC图像抑制电阻搅拌机
作者:
A. Orzati
;
F. Robin
;
H. P. Meier
;
W. Bachtold
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
13.
Transforming MMICs
机译:
改变MMIC.
作者:
Edgar J. Martinez
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
DRAPA;
Wide-bandgap semiconductor materials;
Intelligent RF front-ends;
Intelligent microsystems;
MMICs;
14.
Overview on GaAs MMICs for automotive radar
机译:
GAAS MMICS为汽车雷达的概要
作者:
Marc Camiade
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
15.
50-Gbit/s 4-bit multiplexer/demultiplexer chip-set using InP HEMTs
机译:
使用INP HEMTS 50-Gbit / s 4位多路复用器/多路分解器芯片组
作者:
Kimikazu Sano
;
Koichi Murata
;
Suehiro Sugitani
;
Hirohiko Sugahara
;
Takatomo Enoki
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
16.
A high gain-bandwidth product InP HEMT distributed amplifier with 92 GHz cut-off frequency for 40 Gbit/s applications and beyond
机译:
高增益带宽产品INP HEMT分布式放大器,具有92 GHz截止频率,可为40 Gbit / s应用及超越
作者:
C. McLiani
;
G. Rondeau
;
G. Post
;
J. Decobert
;
W. Mouzannar
;
E. Dutisseuil
;
R. Lefevre
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
17.
40 Gbit/s high performances GaAs pHEMT high voltage modulator driver for long haul optical fiber communications
机译:
40 Gbit / s高性能GaAs Phemt用于长途光纤通信的高压调制驱动器
作者:
W. Mouzannar
;
F. Jorge
;
S. Vuye
;
E. Dutisseulil
;
R. Lefevre
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
18.
High-speed optoelectronic packaging
机译:
高速光电包装
作者:
Ben Velsher
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
19.
Product applications and technology directions with SiGe BiCMOS
机译:
与SiGe BICMOS的产品应用和技术方向
作者:
J. Dunn
;
G. Freeman
;
D. Harame
;
A. Joseph
;
D. Coolbaugch
;
R. Groves
;
K. Stein
;
R. Volant
;
S. Subbanna
;
V. S. Marangos
;
S. St. Onge
;
E. Eshun
;
P. Cooper
;
J. Johnson
;
J. Rieh
;
V. Ramachandran
;
D. Ahlgren
;
D. Wang
;
X. Wang
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
20.
Monolithic integration of In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As photodiodes and In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As HEMTs on GaAs substrates for long wavelength OEIC applications
机译:
在/亚0.53 / ga / sub 0.47 /作为光电二极管和/亚/载/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/亚/苏斯。
作者:
Jang J.H.
;
Cueva G.
;
Sankaralingam R.
;
Fay P.
;
Hoke W.E.
;
Adesida I.
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
semiconductor device measurement;
high electron mobility transistors;
photodiodes;
semiconductor device manufacture;
integrated optoelectronics;
indium compounds;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
long wavelength optical fi;
21.
Architectural trade-offs for SiGe BiCMOS direct conversion receiver front-ends for IEEE802.11a
机译:
用于IEEE802.11a的SiGe BICMOS直接转换接收器前端的建筑折衷
作者:
Sudipto Chakraborty
;
Scott K. Reynolds
;
Troy Beukema
;
Herschel Ainspan
;
Joy Laskar
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
22.
Reliability of commercial InP HBTs under high current density lifetests
机译:
高电流密度寿命下商业INP HBT的可靠性
作者:
Kevin T. Feng
;
Nguyen X. Nguyen
;
Chanh Nguyen
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
InP;
HBT;
Reliability;
High current density;
Life tests;
23.
87 GHz static frequency divider in an InP-based mesa DHBT technology
机译:
87基于INP的MESA DHBT技术中的87 GHz静态分频器
作者:
S. Krishnan
;
Z. Griffith
;
M. Urteaga
;
Y. Wei
;
D. Scott
;
M. Dahlstrom
;
N. Parthasarathy
;
M. Rodwell
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Static frequency dividers;
HBT;
24.
High dynamic range InP HBT delta-sigma analog-to-digital converters
机译:
高动态范围INP HBT DELTA-SIGMA模数转换器
作者:
W. Skones
;
P. Cheng
;
D. Ching M. Inerfield
;
S. Nelson
;
C. Wong
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Continuous-time delta-sigma modulator;
ADC;
25.
The evolution of test methodologies for high-speed digital communications components
机译:
高速数字通信组件试验方法的演变
作者:
Greg D. LeCheminant
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
26.
Bias dependence of 0.25μm pHEMT parasitic elements as determined with a direct extraction method
机译:
用直接提取法测定的0.25μmPhemt寄生元件的偏置依赖性
作者:
Charles F. Campbell
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
27.
Multi-stage G-band (140-220 GHz) InP HBT amplifiers
机译:
多级G波段(140-220 GHz)INP HBT放大器
作者:
M. Urteaga
;
D. Scott
;
S. Krishnan
;
Y. Wei
;
M. Dahlstrom
;
Z. Griffith
;
N. Parthasarathy
;
M. Rodwell
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
28.
A 3-V fully differential distributed limiting driver for 40 Gb/s optical transmission systems
机译:
用于40 GB / S光传输系统的3V全差分分布式限制驱动器
作者:
D. S. McPherson
;
F. Pera
;
M. Tazlauanu
;
S. P. Voinigescu
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
29.
Gallium nitride (GaN) HEMT's: progress and potential for commercial applications
机译:
氮化镓(GaN)HEMT:商业应用的进展和潜力
作者:
J. Shealy
;
J. Smart
;
M. Poulton
;
R. Sardler
;
D. Grider
;
S. Gibb
;
B. Hosse
;
B. Sousa
;
D. Halchin
;
V. Steel
;
P. Garber
;
P. Wikerson
;
B. Zaroff
;
J. Dick
;
T. Mercier
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
30.
InP HBT ring oscillator with 2.0ps/stage gate delay
机译:
INP HBT环振荡器,具有2.0ps /级闸门延迟
作者:
N. K. Srivastava
;
G. Raghavan
;
R. Thiagarajah
;
M. G. Case
;
E. Arnold
;
C. W. Pobanz
;
S. O. Nielsen
;
J. C. Yen
;
R. A. Johnson
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
31.
1-what broad Ka-band ultra small high power amplifier MMICs using 0.25-μm GaAs PHEMTS
机译:
1 - 使用0.25-μmGaAs Phemts的广泛的KA波段超小功率放大器MMIC
作者:
A. Bessemoulin
;
J. Dishong
;
G. Clark
;
D. White
;
P. Quentin
;
H. Thomas
;
D. Geiger
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
32.
Enhanced CDMA performance from an InGaP/InGaAsN/GaAs N-n-N double heterojunction bipolar transistor
机译:
从的InGaP / InGaAsN /砷化镓N-正-N双异质结双极晶体管增强CDMA性能
作者:
Ron Yarborough
;
Barbara Landini
;
Roger Welser
;
John Yang
;
Timothy Henderson
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Bipolar transistor;
Wireless;
Cellular;
PCS;
Power amplifiers;
HBTs;
InGaAsN;
Turn-on voltage;
CDMA;
Linearity;
InGaP/GaAs HBTs;
Graded base;
33.
1 watt broad Ka-band ultra small high power amplifier MMICs using 0.25-/spl mu/m GaAs PHEMTs
机译:
1瓦宽的KA波段超小型高功率放大器MMIC使用0.25- / SPL MU / M GaAs Phemts
作者:
Bessemoulin A.
;
Dishong J.
;
Clark G.
;
White D.
;
Quentin P.
;
Thomas H.
;
Geiger D.
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
MMIC power amplifiers;
field effect MMIC;
HEMT integrated circuits;
integrated circuit design;
ultra compact MMICs;
high power amplifier MMICs;
Ka-band applications;
GaAs PHEMT technology;
PHEMT MMIC power ampl;
34.
A four-stage Ku-band 1 what PHEMT MMIC power amplifier
机译:
四级Ku频段1 Phemt MMIC功率放大器
作者:
H. Z. Liuc
;
C. C. Wang
;
Y. H. Wang
;
J. W. Huang
;
C. H. Chang
;
W. Wu
;
C. L. Wu
;
C. S. Chang
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Ku-band;
Four-stage;
MMIC;
Power amplifier;
35.
An MMIC smart power amplifier of 21 PAE at 16 dBm power level for W-CDMA mobile communication terminals
机译:
一个MMIC智能功率功率放大器,21%PAE为16 dBM电力电平,用于W-CDMA移动通信终端
作者:
Joon H. Kim
;
Ji H. Kim
;
Youn S. Noh
;
Young S. Kim
;
Song G. Kim
;
Chul S. Park
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
36.
STS-768 multiplexer with full rate output data retimer in InP HBT
机译:
STS-768多路复用器,具有INP HBT中的全速率输出数据重试剂
作者:
A. Hendarman
;
E. A. Sovero
;
X. Xu
;
K. Witt
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
37.
1.7-W 50-Gbit/s InP HEMT 4:1 multiplexer IC with a multi-phase clock architecture
机译:
1.7-W 50-Gbit / s Inp HEMT 4:1多相时钟架构的多路复用器IC
作者:
Kimikazu Sano
;
Koichi Murata
;
Suehiro Sugitani
;
Hirohiko Sugahara
;
Takatomo Enoki
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
38.
High power monolithic AlGaN/GaN HEMT oscillator
机译:
高功率单片AlGaN / GaN HEMT振荡器
作者:
V. Kaper
;
V. Tilak
;
H. Kim
;
R. Thompson
;
T. Prunty
;
J. Smart
;
L. F. Eastman
;
J. R. Shealy
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
39.
DC and RF characteristics of depletion-mode GaAs MOSFET employing a thin Ga{sub}2O{sub}3(Gd{sub}2O{sub}3) gate dielectric layer
机译:
使用薄Ga {sub} 2o {sub} 3(gd {sub} 2o} 3)栅极介电层的DC和RF特性的耗尽模式GaAs MOSFET的特性
作者:
B. Yang
;
P. D. Ye
;
J. Kwo
;
M. R. Frei
;
H. -J. L. Gossmann
;
J. P. Mannaerts
;
M. Sergent
;
M. Hong K. K. Ng
;
J. Bude
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
GaAs MOSFET;
Ga{sub}2O{sub}3(Gd{sub}2O{sub}3) gate dielectric;
40.
1.4-THz gain-bandwidth product InP-HEMTs preamplifier using an improved Cherry-Hooper topology
机译:
1.4-THZ增益带宽产品INP-HEMTS前置放大器使用改进的樱桃帽拓扑
作者:
M. Sato
;
H. Shigematsu
;
Y. Inoue
;
T. Arai
;
K. Sawada
;
T. Takahashi
;
K. Makiyama
;
T. Hirose
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
41.
A 12-GS/s track-and-hold amplifier in InP DHBT technology
机译:
INP DHBT技术中的12 GS / S轨道和保持放大器
作者:
Jaesik Lee
;
A. Leven
;
Y. Baeyens
;
C. Chen
;
Y. Yang
;
W. J. Sung
;
C. -T. Liu
;
J. Frackvoiak
;
L. Chua
;
R. Kopf
;
Y. K. Chen
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
42.
A 2.4 5 GHz dual band 802.11 WLAN supporting data rates to 108 Mb/s
机译:
2.4和5 GHz双频带802.11 WLAN支持数据速率为108 MB / s
作者:
Bill McFarland
;
Arie Shor
;
Ali Tabatabaei
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
43.
Simulations of quantum transport in HEMT using density gradient model
机译:
密度梯度模型模拟血栓量的量子输送
作者:
E. Lyumkis
;
R. Mickevicius
;
O. Penzin
;
B. Polsky
;
K. El Sayed
;
A. Wettstein
;
W. Fichtner
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
HEMT;
Quantum transport;
44.
40 GHz transimpedance amplifier with differential outputs using InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
40 GHz跨阻抗放大器采用INP / INGAAS异质结双极晶体管的差分输出
作者:
Charles Q. Wu
;
Emilio A. Sovero
;
Bruce Massey
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
45.
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs - a flight qualified technology
机译:
0.1μmingaas / Inalas / Inp Hemt MMICS - 飞行合格技术
作者:
Y. C. Chou
;
D. Leung
;
R. Lai
;
R. Grundbacher
;
M. Barsky
;
Q. Kan
;
R. Tsai
;
D. Eng
;
M. Wojtwicz
;
T. Block
;
P. H. Liu
;
S. Olson
;
A. Oki
;
D. C. Streit
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
46.
A C-band fully organic-based transmitter module
机译:
C波段完全有机的发射器模块
作者:
C. -H. Lee
;
M. F. Davis
;
S. -W. Yoon
;
S. Chakraborty
;
A. Sutono
;
K. Lim
;
S. Pinel
;
J. Laskar
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
47.
InP DHBT technology and design for 40 Gbit/s full-rate-clock communication circuits
机译:
INP DHBT技术与40 Gbit / S全速率时钟通信电路的设计
作者:
J. Godin
;
M. Riet
;
S. Blayac
;
P. Berdaguer
;
V. Dhalluin
;
F. Alexandre
;
M. Kahn
;
A. Pinquier
;
A. Kasbari
;
J. Moulu
;
A. Konczykowska
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
48.
A compact 30 GHz MMIC high power amplifer (3W CW) in chip and packaged from
机译:
芯片中紧凑的30 GHz MMIC高功率放大器(3W CW)和封装
作者:
Kris Kong
;
David Boone
;
Marcus King
;
Bruce Nguyen
;
Mike Vernon
;
Elias Reese
;
Gailon Brehm
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
49.
Integrated circuits for fiber systems
机译:
光纤系统集成电路
作者:
John Sitch
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
50.
An over 110-GHz InP HEMT flip-chip distributed baseband amplifier with inverted microstrip line structure for optical transmission systems
机译:
具有超过110GHz的INP HEMT倒装芯片分布式基带放大器,具有用于光传输系统的倒微带线结构
作者:
S. Masuda
;
T. Hirose
;
T. Takahashi
;
M. Nishi
;
S. Yokokawa
;
S. Iijima
;
K. Ono
;
N. Hara
;
K. Joshin
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Inverted;
Microstrip line;
Flip-chip;
Distributed amplifiers;
InP HEMT;
51.
An 8-watt 3.5 GHz power amplifier with tunable matching
机译:
带有可调匹配的8瓦3.5 GHz功率放大器
作者:
Steve Rockwell
;
Rudy Emrick
;
Bruce Bosco
;
Steve Franson
;
Monte Miller
;
Eric Johnson
;
Jeff Crowder
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
52.
A 23/3-dB dual-gain low-noise amplifer for 5-GHz-band wireless applications
机译:
用于5GHz波段无线应用的23/3 dB双增益低噪声放大器
作者:
Yuuichi Aoki
;
Nobuyuki Hayama
;
Masahiro Fujii
;
Hikaru Hida
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
53.
X-band successive detection log amplifier/limiter MMIC implemented in 0.15 μm double recess PHEMT
机译:
X波段连续检测对数放大器/限制器MMIC在0.15μm双凹陷phemt中实现
作者:
J. J. Komiak
;
W. Kong
;
K. Nichols
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
54.
44 GHz fully integrated and differential monolithic VCOs with wide tuning range in AlInAs/InGaAs/InP DHBT
机译:
44 GHz完全集成的和差分单片VCO,AlinaS / Ingaas / InP DHBT的宽调范围
作者:
A. Kurdoghilan
;
M. Mokhtari
;
C. H. Fields
;
S. Thomas III
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
55.
Direct up-conversion MMIC with RF bandwidth of 4 to 12 GHz
机译:
直接转换MMIC,RF带宽为4到12 GHz
作者:
J. J. Komiak
;
W. Kong
;
K. Nichols
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
56.
0.1 /spl mu/m InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs - a flight qualified technology
机译:
0.1 / SPL MU / M INGAAS / INALAS / INP HEMT MMICS - 飞行合格技术
作者:
Chou Y.C.
;
Leung D.
;
Lai R.
;
Grundbacher R.
;
Barsky M.
;
Kan Q.
;
Tsai R.
;
Eng D.
;
Wojtowicz M.
;
Block T.
;
Liu P.H.
;
Olson S.
;
Oki A.
;
Streit D.C.
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
high electron mobility transistors;
field effect MMIC;
integrated circuit reliability;
indium compounds;
gallium arsenide;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
aerospace instrumentation;
life testing;
integrated circuit testing;
gamma-ray effec;
57.
SiGe differential transimpedance amplifier with 50 GHz bandwidth
机译:
具有50 GHz带宽的SiGe差分跨阻抗放大器
作者:
J. S. Weiner
;
A. Leven
;
V. Houtsma
;
Y. Baeyens
;
Y. K. Chen
;
P. Paschke
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
OEIC;
MMIC;
Transimpedance amplifier;
SiGe;
58.
Monolithic integration of In{sub}0.53Ga{sub}0.47As photodiodes and In{sub}0.53Ga{sub}0.47As/In{sub}0.52Al{sub}0.45As HEMTs on GaAs substrates for long wavelength OEIC applications
机译:
在{sub} 0.53ga {sub}的单片集成0.47as光电二极管和{sub} 0.53ga {sub} 0.47as / in {sub} 0.52al {sub} 0.45as HEMTS在GAAS基板上,用于长波长OEIC应用
作者:
J. H. Jang
;
G. Cueva
;
R. Sankaralingam
;
P. Fay
;
W. E. Hoke
;
I. Adesida
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
Metamorphic;
Photodiodes;
HEMT;
In{sub}0.53Ga{sub}0.47As;
OEICs;
59.
1.1W/mm high power GaAs/InGaP composite channel FET with asymmetrical LDD structure at 26V operation
机译:
1.1W / mm高功率GaAs / InGap复合通道FET,具有26V操作的不对称LDD结构
作者:
Ken Nakata
;
Ryuji Masuyama
;
Shigeru Nakajima
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
60.
A 4-watt X-band compact coplanar high power amplifier MMIC with 18-dB gain and 25- PAE
机译:
一个4瓦X型致密平板电池高功率放大器MMIC,18-DB增益和25%PAE
作者:
A. Bessemoulin
;
H. Massler
;
R. Quay
;
S. Ramberger
;
M. Schlechtweg
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
61.
Indium gallium arsenide avalanche photodiodes...not just for telecom anymore
机译:
铟镓砷雪崩光电二极管...不仅仅是电信了
作者:
J. Christopher Dries
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
62.
InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors (invited)
机译:
INP / GAASSB / INP双异质结双极晶体管(邀请)
作者:
C. R. Bolognesi
;
M. W. Dvorak
;
S. P. Watkins
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
63.
Silicon germanium BiCMOS technology
机译:
硅锗BICMOS技术
作者:
Paul Kempf
;
Marco Racanelli
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
64.
1.1 W/mm high power GaAs/InGaP composite channel FET with asymmetrical LDD structure at 26 V operation
机译:
1.1 W / MM高功率GAAS / INGAP复合通道FET,具有26 V操作的非对称LDD结构
作者:
Nakata K.
;
Masuyama R.
;
Nakajima S.
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
gallium arsenide;
indium compounds;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor device breakdown;
power field effect transistors;
intermodulation distortion;
GaAs/InGaP composite channel FET;
asymmetrical LDD structure;
lightly doped drain;
65.
A broadband (1-20 GHz) SiGe monolithic SPDT switch
机译:
宽带(1-20GHz)SiGe单片SPDT开关
作者:
R. Tayrani
;
M. Teshiba
;
G. Sakamoto
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
66.
Three-dimensional analysis of leakage currents in III-V HBTs
机译:
III-V HBTs漏电流的三维分析
作者:
V. Palankovski
;
R. Klima
;
R. Schultheis
;
S. Selberherr
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
67.
Bias dependence of 0.25 /spl mu/m pHEMT parasitic elements as determined with a direct extraction method
机译:
用直接提取方法确定0.25 / SPL mu / m Phemt寄生元件的偏置依赖性
作者:
Campbell C.F.
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
关键词:
high electron mobility transistors;
semiconductor device models;
S-parameters;
equivalent circuits;
bias dependence;
pHEMT parasitic elements;
direct extraction method;
FET modeling procedures;
parasitic element values;
FET parasitic elements;
device;
68.
Impact of RF stress on dispersion and power characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
RF应力对AlGaN / GaN Hemts的色散和功率特性的影响
作者:
Shawn S. H. Hsu
;
Pouya Valizadeh
;
Dimitris Pavlidis
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
69.
100+ GHz static divide-by-2 circuit in InP-DHBT technology
机译:
100+ GHz静态除以-2 INP-DHBT技术电路
作者:
Mehran Mokhtari
;
Charles Feilds
;
Rajesh D. Rajavel
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
70.
Direct extraction of InGaP/GaAs HBT large signal model
机译:
InGaP / GaAs HBT大信号模型的直接提取
作者:
A. Raghavan
;
B. Banerjee
;
S. Venkataraman
;
J. Laskar
会议名称:
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
2002年
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