Direct up-conversion MMIC with RF bandwidth of 4 to 12 GHz

机译：直接转换MMIC，RF带宽为4到12 GHz

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Design and performance of a novel Direct Up-Conversion MMIC will be described. The circuit accepts analog differential or single-ended signals from a DA C, forms a sampling pulse from the DAC clock, and creates a time domain waveform that is a pulse doublet train amplitude modulated by the DA C input. The appropriate spectral line is then obtained via bandpass filtering. This approach minimizes cost, volume, power, and weight by eliminating the requirement for a Local Oscillator. The MMIC is implemented in a fully selective 0.15 um double recess PHEMT process.

机译：将描述新颖的直接转换MMIC的设计和性能。该电路接受来自DA C的模拟差分或单端信号，从DAC时钟形成采样脉冲，并创建由DA C输入调制的脉冲双细胞列幅幅度的时域波形。然后通过带通滤波获得适当的光谱线。通过消除本地振荡器的要求，这种方法可以通过消除本地振荡器的要求来最大限度地降低成本，体积，功率和重量。 MMIC以完全选择的0.15μm双凹陷PHEMT工艺实现。

著录项

来源
《Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》|2002年||共4页
会议地点
作者
J. J. Komiak; W. Kong; K. Nichols;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN43-53;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Metamorphic HEMT MMICs and Modules for Use in a High-Bandwidth 210 GHz Radar [J] . Tessmann A., Kallfass I., Leuther A., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2008,第10期

机译：用于高带宽210 GHz雷达的变质HEMT MMIC和模块
2. A 12 GHz 1.9 W Direct Digital Synthesizer MMIC Implemented in 0.18 $mu$m SiGe BiCMOS Technology [J] . Yu X., Dai F. F., Irwin J. D., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2008,第6期

机译：采用0.18μmSiGe BiCMOS技术实现的12 GHz 1.9 W直接数字合成器MMIC
3. GaN MMICs for RF power applications in the 50 GHz to 110 GHz frequency range [J] . M. Micovic, A. Kurdoghlian, P. Hashimoto, Physica status solidi . 2008,第6期

机译：用于50 GHz至110 GHz频率范围内RF功率应用的GaN MMIC
4. Direct up-conversion MMIC with RF bandwidth of 4 to 12 GHz [C] . Komiak J.J., Kong W., Nichols K. Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2002. 24th Annual Technical Digest . 2002

机译：直接上变频MMIC，RF带宽为4至12 GHz
5. High performance 12-24 GHz RF front-end components fabricated in a commercial silicon germanium bipolar process. [D] . Hancock, Timothy Michael. 2005

机译：采用商用硅锗双极工艺制造的高性能12-24 GHz RF前端组件。
6. Development and performance of a 129-GHz dynamic nuclear polarizer in an ultra-wide bore superconducting magnet [O] . Lloyd L. Lumata, Richard Martin, Ashish K. Jindal, -1

机译：超宽孔超导磁体中129 GHz动态核极化器的开发和性能
7. High gain 110-GHz low noise amplifier MMICs using 120-nm metamorphic HEMTs and coplanar waveguides [O] . Bessemoulin A., Fellon P., Gruenenpuett J., 2005

机译：使用120 nm变形HEMT和共面波导的高增益110 GHz低噪声放大器MMIC
8. GaAs MMIC Mixer for 8-12GHz, Based on 0.5 micrometer Gate Length D-MESFETS. Volume 1. Design and Layout (GaAs MMIC Mixer voor 8-12GHz, Gerealiseered Met 0,5 micrometer Gate Lengte D-MESFETS. Deel 1. Ontwerp en Layout). [R] . Tieman, T. C., Grooters, R. 1990

机译：Gaas mmIC混频器，用于8-12GHz，基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局（Gaas mmIC混频器，8-12GHz，Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout）。

Direct up-conversion MMIC with RF bandwidth of 4 to 12 GHz

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅