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Silicon germanium BiCMOS technology

机译:硅锗BICMOS技术

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摘要

In the past few years, the cutoff frequency of silicon germanium bipolar transistors has nearly quadrupled for devices integrated in production BiCMOS process technology. This has enabled integration, speed and power improvements using silicon-based solutions in communications products previously served exclusively by III-V technology.
机译:在过去几年中,硅锗双极晶体管的截止频率几乎可以用于集成在生产BICMOS工艺技术中的器件的二倍。这使得在以前由III-V技术的通信产品中使用基于Silicon的解决方案,实现了集成,速度和功率改进。

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