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首页> 外文会议>Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium >A compact 30 GHz MMIC high power amplifer (3W CW) in chip and packaged from
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A compact 30 GHz MMIC high power amplifer (3W CW) in chip and packaged from

机译：芯片中紧凑的30 GHz MMIC高功率放大器（3W CW）和封装

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This paper presents performance of a compact 3W HPA (High Power Amplifier) in MMIC and packaged form at 30 GHz. A low cost high power packaged part was achieved by designing a compact MMIC and adopting a laminate substrate approach for a package. TriQuint standard 0.25μm PHEMT production process on 50μm substrate technology was used for a compact MMIC PA design. The output power at P1dB (CW measurement) of MMIC and packaged parts are 34.9 dBm and 34.5 dBm with associated gain of 21.5 dB. These results are the highest CW-power and gain reported for a single MMIC and packaged part at Ka-band.
机译：本文以30 GHz为单位为Compact 3W HPA（高功率放大器）的性能。通过设计紧凑的MMIC并采用层压基板方法来实现低成本的高功率封装部件。 Triquint标准0.25μmPhemt生产过程50μm衬底技术用于紧凑型MMIC PA设计。 MMIC和封装部分的P1DB（CW测量）的输出功率为34.9 dBm和34.5 dBm，具有21.5 dB的相关增益。这些结果是CW功率最高，并且在KA波段的单个MMIC和包装部分报告的增益。

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