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Growth and fabrication of an integrated DFB laser and EA modulator

机译：集成DFB激光器和EA调制器的生长和制造

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By using the selective area growth (SAG) technique, the grating over growth technique, and the buried hetero-structure (BH) regrowth technique, we have successful fabricated integrated distributed feedback laser and electro-absorption modulator. A suitable tensile strain is introduced during the multiple quantum well (MQW) growth to compensate the compressive strain caused by the SAG effect. To obtain better control on the growth condition and grating coupling coefficient, a quaternary grating laser is used. The best DFB laser shows a threshold current of around 12 mA and slope efficiency up to 0.13 mW/mA from one facet.
机译：通过使用选择性区域生长（SAG）技术，在生长技术上的光栅和掩埋异质结构（BH）再生技术，我们具有成功的制造的集成分布式反馈激光器和电吸收调制器。在多量子阱（MQW）生长期间引入合适的拉伸菌株以补偿由下垂效应引起的压缩菌株。为了获得对生长条件和光栅耦合系数的更好控制，使用季雷栅激光。最佳的DFB激光器显示出大约12 mA的阈值电流，斜坡效率高达0.13mW / mA。

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