Gallium arsenide; Principal component analysis; Electric fields; Laser modes; Photonics; Antennas; Laser theory;
机译:AlGaAs / GaAs自对准薄发射极异质结双极晶体管(SATE-HBT)的亚微米缩放,电流增益与发射极面积无关
机译:垂直-外腔表面发射激光器中具有Gaas,藻类和Gaas势垒的Ingaas应变量子阱的增益特性
机译:使用InGaP / InGaAs / GaAs材料系统制造的双光栅栅等离子体激元发射器的太赫兹辐射发射
机译:高增益GaAs太赫兹发射极的研究进展
机译:用COMSOL多发性与商业LT-GAAS发射器实验比较使用COMSOL多发性的黑磷太赫兹光电导光线的计算模拟
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
机译:使用n型Gaas / alGaas异质结构的单发射极和多发射极太赫兹探测器
机译:多层三角形掺杂p-Gaas结构中的子带间跃迁的太赫兹增益