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【24h】

影のないPVセルに発生するホットスポットとシャント抵抗の関係

机译:在没有阴影的光伏电池中发生热点和分流电阻的关系

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摘要

本稿では、結晶Si系PVモジュールを対象に、ホットスポットの原因について考察を行った。対象の直列抵抗、シャント抵抗の抵抗値を求め、算出した動作点ごとの消費電力値と実際のホットスポットの様子を比較し、シャント抵抗の発熱であるとの結果が得られた。またその発熱の発生原因は、セルが低い抵抗値のシャント抵抗を持つことであることを示した。結晶Si系PVセルのシャント抵抗の低下は、ブレイクダウン[5]や加速劣化試験の結果[6]として報告がされている。これは劣化により、直列抵抗とともに、シャント抵抗のホットスポットも発生することを示唆している。そしてそれらは影のないPVモジュールで発生し、セル内のシャントの位置によっては視覚的な原因抵抗の判別が難しい場合が考えられる。よってより詳細な不具合や故障現象の原因究明のため、温度観測診断の実施において、ホットスポットの発熱抵抗の原因を確認する作業を行う必要があると考える。
机译:在本文中,我们考虑了热点的基于Si的晶体PV模块的原因。获得了目标串联电阻和分流电阻的电阻值,并且对于每个计算出的操作位置和实际的热点的电力消耗值进行比较,和分流电阻的结果是产生的热。而且,发热的产生的原因表明,所述细胞具有低电阻值的分流电阻。在基于Si晶PV电池的旁路电阻的减小被报告为击穿[5]和加速劣化试验[6]的结果。这表明也恶化产生具有串联电阻分流电阻热点。并且它们可以通过没有阴影PV模块产生,并且根据在小区中的分流器的位置,可以考虑视觉原因电阻难以确定视觉原因电阻。因此,为了研究温度观察诊断的原因,以调查的温度观察诊断,有必要确认热点的发热电阻的原因,以便调查的温度观察诊断。

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