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樹脂モールドされたセラミックス絶縁基板における絶縁破壊までの部分放電発生位相角特性

机译:局部放电存在相角特性在树脂模制陶瓷绝缘基板中达到介电击穿

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摘要

近年,SiCやGaNをなどの次世代半導体を搭載したパワーモジユールの開発が進むとともに,使用される絶縁材料の高電圧対策が重要となっている。そこで著者らは,エポキシ樹脂モールドされたセラミックス絶縁基板をパワーモジュールモデルとして,課電中の部分放電(partial discharge:PD)特性を測定することで長期的な絶縁特性を評価している。本稿では,同試料に長期課電を施しつつPD発生位相角(Φ-q)特性および平均的なPD電荷量の経時変化を試料の絶縁破壊が生じるまで評価し,検討したので報告する。
机译:近年来,先进的配备了具有下一代半导体的电力模式,如SiC和GaN等,使用的绝缘材料的高压测量很重要。因此,作者通过作为电源模块模型的电力模块模型测量电放电期间的局部放电(PD)特性来评估长期保温特性作为电源模块模型。在本文中,我们报告并检查了上升相位角(φ-Q)特性和采样中平均PD电荷量的平均变化,我们报告并考虑样品介电击穿。

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