10kV Trench Gate IGBTs on 4H-SiC

机译：10kV沟槽门IGBT 4H-SIC

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来源
《International Conference on Semantic Technology and Information Retrieval》|2011年||共4页
会议地点
作者
Zhang Q.; Chang H.-R.; Gomez M.; Bui C.; Hanna E.; Higgins J.A.; Isaacs-Smith T.; Williams J.R.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TP391-53;
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