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Progresses on Development of Manufacturing Methods of High Purity Tungsten Targets

机译：高纯度钨靶制造方法的发展进展

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Tungsten has many excellent properties such as high melting point, high electrical conductivity, high electromigration resistance, high electron emission coefficient, high thermal stability and so on. Because of these excellent properties, high purity tungsten targets have wide applications and development prospects in the integrated circuit (IC) industry. In this paper, some manufacturing methods of tungsten targets was summarized and analyzed. The high melting point of tungsten makes powder metallurgy (PM) be the manufacturing methods of tungsten targets. After preforming of the tungsten powders, some sintering and densification processes like atmosphere pressure sintering, Hot Pressing (HP), Hot Isostatic Pressing(HIP) have been carried out. The grain size and the density of the tungsten targets is different by different manufacturing methods.
机译：钨具有多种优异的性能，如高熔点，高导电性，高电阻力，高电子发射系数，高热稳定性等。 由于这些优异的性质，高纯度钨靶具有广泛的应用和开发前景，在集成电路（IC）行业中。 本文总结和分析了钨靶的一些制造方法。 钨的高熔点使粉末冶金（PM）成为钨靶的制造方法。 在钨粉末预成型后，已经进行了一些烧结和致密化方法，如大气压力烧结，热压（HP），热压等静压（HIP）。 晶粒尺寸和钨靶的密度是不同的制造方法的不同。

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