The Band Structures of Chemisorptions on Si (100) Surface

机译：Si（100）表面上的化学样品带结构

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The band structures were given by study on the chemisorptions of atom on the Si (100) surface. From these curves, the pseudogap, forbidden bandwidth, the trend of Fermi level in the graphics at the Fermi level were analyzed and compared for different elements absorption. The conclusion is that the electrical conductivity of Cu, Na is the best, followed by C, the last is the Si.

机译：通过研究Si（100）表面上原子的化学素鉴定带结构。从这些曲线，PseudoGAP，禁止带宽，分析了FERMI水平图形中的FERMI水平的趋势，并比较了不同的元件吸收。结论是Cu，Na的电导率是最好的，其次是C，最后是Si。

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来源
《International Conference on Materials and Products Manufacturing Technology》|2015年||共4页
会议地点
作者
Jun fang Wu;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TB3-532;
关键词
The band structure; Chemisorptions; Si (100) surface; bandwidth; Fermi level; pseudogap;

机译：乐队结构;化学素;Si（100）表面;带宽;费米水平;伪影像;

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