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Progress in Submicron Device Technology

机译：亚微米器件技术的进展

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Scaling of Metal Oxide Semiconductor (MOS) devices under submicron range experiences high device power dissipation due to large leakage current caused by Short Channel Effects (SCE). The use of high-K dielectric gate stack in MOS technology can solve these problems. The structure of the MOS device appears to be a vital issue below 22nm technology. The technologist devised FinFET, Tunnel FET (TFET), Carbon Nano Tube based TFET (T-CNFET), Nanowire-FET (NWFET) to remove the drawbacks of the existing technology. The various features of such devices have been discussed in this article.
机译：由于短信道效应（SCE）引起的大量漏电流，亚微米范围下的金属氧化物半导体（MOS）器件的缩放经历了高器件功耗。 MOS技术中的高k电介质栅极堆栈可以解决这些问题。 MOS设备的结构似乎是22nm技术的重要问题。该技术专家设计了FinFET，隧道FET（TFET），基于碳纳米管的TFET（T-CNFET），纳米线 - FET（NWFET）以消除现有技术的缺点。本文讨论了这些装置的各种特征。

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