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Synthesis of Patterned AIN Nanoarray and its Photoluminance Property Investigation

机译：型AIN纳米阵列的合成及其光致图性能调查

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Chemical vapor deposition (CVD) method is employed in the present paper to grow patterned Aluminium nitride (A1N) nanowire array. The AlN nanoarray is grown on Si substrate through patterned polystyrene spheres (PS) colloid template. The microstructure of A1N nanoarray is investigated by SEM, XRD and Photoluminescence (PL) spectrum. The results show that the full width at half-maximum (FWHM) of the XRD diffraction peaks of AlN nanostructure are very narrow, which means the good crystalline structure of the AlN nanowire. From the SEM photos, the cyclical morphology of the A1N nanostructure can be observed. The cycle is equal to the diameter of the PS template. The PL spectrum of the patterned AlN indicates that a strong and narrow band of 3.8 eV is emitted in the patterned AlN sample, which is due to the nitrogen vacancies in AlN.
机译：本文采用化学气相沉积（CVD）方法以生长氮化铝（A1N）纳米线阵列的图案化。 通过图案化的聚苯乙烯球体（PS）胶体模板在Si底物上生长AlN纳米阵列。 SEM，XRD和光致发光（PL）光谱研究了A1N纳米阵列的微观结构。 结果表明，ALN纳米结构的XRD衍射峰的半最大（FWHM）的全宽非常窄，这意味着ALN纳米线的良好晶体结构。 从SEM照片，可以观察到A1N纳米结构的周期性形态。 循环等于PS模板的直径。 图案化ALN的PL光谱表明，在图案化的ALN样品中发射了强且窄的3.8eV带，这是由于ALN中的氮空位。

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