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首页> 外文会议>IFMME2013 >Vertical floating zone crystal growth of R_2PdSi_3 intermetallic compounds (R=Prand Nd)
【24h】

Vertical floating zone crystal growth of R_2PdSi_3 intermetallic compounds (R=Prand Nd)

机译：R_2PDSI_3金属间化合物的垂直浮区晶体生长（R = PRAND ND）

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The class of R_2PdSi_3 single crystals (R= rare earth element) with hexagonal Allotype crystallographic structure reveals the systematic dependence of anisotropic magnetic properties governed by the interplay of crystal-electric field effects and magnetic two-ion interactions. Here we compare the floating zone (FZ) crystal growth with radiation heating of compounds Pr_2PdSi_3 and Nd_2PdS_3. The congruent melting behavior enabled moderate growth velocities of 3 to 5 mmh~(-1). The preferred growth directions are close to the basal plane of the hexagonal unit cell. The composition of the crystals, is slightly Pd-depleted with respect to the nominal composition 16.7 at.% Pd. The Pr_2PdSi_3 compound exhibit antiferromagnetic order below the Néel temperatures T_N: 2.17 K and Nd_2PdSi_3 compound order ferromagnetically below the Curie temperature T_C = 15.1 K.
机译：具有六边形偶型晶体结构的R_2PDSI_3单晶（R =稀土元素）揭示了通过晶体电场效应和磁性双离子相互作用的相互作用来控制各向异性磁性的系统依赖性。在这里，我们将浮区（FZ）晶体生长与化合物PR_2PDSI_3和ND_2PDS_3的辐射加热进行比较。一致熔化行为使3至5 mmh〜（-1）的中等生长速度。优选的生长方向靠近六边形单元细胞的基底平面。相对于标称组合物16.7，晶体的组成略微PD-耗尽。％Pd。 PR_2PDSI_3化合物表现出Néel温度下方的反铁磁性阶T_N：2.17K和ND_2PDSI_3化合物顺序低于居里温度T_C = 15.1K。

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