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【24h】

プラズマイオン注入によるBドープされたa-Siのカウンタドープ:カウンタドープn-a-Si層のパッシベーション品質のB濃度依存性

机译:B掺杂A-Si计数器掺杂通过寄生植入:B浓度依赖于掺杂N-A-Si层的钝化质量

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摘要

アモルファスシリコン(a-Si)/結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合裏面電極型(HBC)太陽電池は26%を超える変換効率が報告されている。しかし、裏面p、n領域のパターンを形成するには、多くの作製工程が必要である。もし、廉価な非質量分離型プラズマイオン注入装置を用い、ハードマスクを通してp-a-Siの一部をn-a-Siに変換できれば、裏面電極パターンの作製を簡略化でき、コスト低減が可能となる。これまで我々は、PH3プラズマイオン注入を用い、200 oC以上の熱処理を行うことにより、p-a-Siをn-a-Siに変換したSiヘテロ接合(SHJ)太陽電池の動作を確認した。さらに、このカウンタドープにより形成したn-a-Si層の導電率は元のp-a-Si層のB濃度に依存しないが、パッシベーション品質がB濃度に強く依存しており、B濃度が高くなると、n-a-Si層のパッシベーション品質が元々のp-a-Si層のパッシベーション品質まで回復出来ないことを見出した。本研究では、カウンタドープn-a-Si層のパッシベーション品質のB濃度に対する依存性の原因を調査したので報告する。
机译:非晶硅(a-Si)的/结晶硅(C-Si)的杂合的背面电极型(HBC)太阳能电池已经报道了超过26%的转换效率。然而,要求许多制造步骤来形成背面和N区的图形。如果P-A-Si的一部分可以通过使用廉价的非质量的硬掩模被转化为N-A-硅分离等离子体离子注入装置中,所以能够简化制造背面电极图案,并降低成本。到目前为止,我们已经证实了Si异质的操作(SHJ)太阳能电池转化为N-A-的Si通过加热处理用pH3的等离子体离子注入。此外,尽管钠-Si层的导电性由该计数器的掺杂不依赖于原PA-Si层的B浓度形成时,钝化质量强烈依赖浓度乙上,和B的浓度变高, NA-已经发现的是,Si层的钝化质量不能恢复到原来的PA-Si层的钝化质量。在这项研究中,我们报道了计数器的钝化质量的依赖性的原因掺杂的N-A-Si层中的B浓度。

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