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首页> 外文会议>International Conference on Circuits, Systems and Simulation >A Capacitor-less LDO with Nested Miller Compensation and Bulk-Driven Techniques in 90nm CMOS
【24h】

A Capacitor-less LDO with Nested Miller Compensation and Bulk-Driven Techniques in 90nm CMOS

机译：较少的电容器LDO，嵌套米勒补偿和90nm CMOS中的散装驱动技术

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This paper presents an output-capacitor-less low-dropout regulator (LDO) with nested miller compensation and bulk-driven techniques. The proposed LDO has been fabricated in TSMC 90 nm CMOS technology. The nominal supply voltage of the LDO is 1.8 V and the output voltage is 1.2 V. Bulk-driven technique is used to improve the power supply rejection Ratio (PSRR), which are −64 dB at 100 kHz and -24 dB at 25 GHz. It occupies 160 μm × 85 μm of chip area. Measurement results show the drop-out voltage is 200 mV at the maximum output current of 40 mA.
机译：本文介绍了一种输出电容器较低的低压丢失调节器（LDO），具有嵌套米勒补偿和散装驱动技术。 所提出的LDO已在TSMC 90nm CMOS技术中制造。 LDO的标称电源电压为1.8V，输出电压为1.2 V.散装驱动技术用于改善电源抑制比（PSRR），其为-64dB，在100 kHz和-24 dB时为25 GHz 。 它占据160μm×85μm的芯片区域。 测量结果显示辍学电压为200mV，在40 mA的最大输出电流下。

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