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【24h】

Power density design of SiC and GaN DC-DC converters for 380 V DC distribution system based on series-parallel circuit topology

机译：基于串并联电路拓扑的380 V直流配电系统SiC和GaN DC-DC转换器的功率密度设计

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The power density for SiC and GaN isolated DC-DC converters were estimated, taking the series-parallel circuit topology and novel device characteristics into account. Design consideration for a 300 W 48 V–48 V LLC converter using GaN-FET and a 4800 W 384 V–384 V converter using SiC-MOSFET were conducted by using the power converter exact loss simulator. The power density of a low-power low-voltage GaN converter was higher than that of single SiC high-power high-voltage converter, and the potential of the series-parallel circuit topology was shown. Standardized high power density converters are attractive for future DC distribution system. This design contributes to realizing highly efficient and space-saving DC distribution system.
机译：估算了SiC和GaN隔离式DC-DC转换器的功率密度，同时考虑了串并联电路拓扑和新颖的器件特性。通过使用功率转换器精确损耗模拟器，对使用GaN-FET的300 W 48 V–48 V LLC转换器和使用SiC-MOSFET的4800 W 384 V–384 V转换器进行了设计考虑。低功率低压GaN转换器的功率密度高于单个SiC高功率高压转换器的功率密度，并显示了串并联电路拓扑的潜力。标准化的高功率密度转换器对于未来的直流配电系统具有吸引力。该设计有助于实现高效且节省空间的直流配电系统。

著录项

  • 来源
    《》|2013年|1601-1606|共6页
  • 会议地点 Long Beach CA(US);Long Beach CA(US)
  • 作者

    Hayashi Yusuke;

  • 作者单位

    (NTT Facilities, Inc.), Research and Development Headquarters, 2-13-1, Kita-Otsuka, Toshima-ku, Tokyo, Japanc;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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