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一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路

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摘要

本实用新型公开了DC‑DC变换电路领域的一种基于GaN‑SiC器件的高频移相全桥软开关DC‑DC变换电路，包括次级带中间抽头的功率变压器，功率变压器的初级侧连接有移相全桥软开关电路，次级侧连接有同步整流电路；所述移相全桥软开关电路采用GaN晶体管作为开关管，采用SiC二极管作为箝位二极管。本实用新型将基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路与同步整流进行结合，采用输入电流峰值反馈控制和GaN晶体管专用驱动电路以及辅助电源设计，实现了高频高效大功率半砖DC‑DC变换器。基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路，提高了DC‑DC变换器开关频率和功率密度，实现了高效率和小型化的兼顾。

著录项

公开/公告号CN214707539U

专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-12

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第四十三研究所;
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申请/专利号CN202120649543.1
发明设计人邹扬;赵隆冬;朱晓辉;袁宝山;徐成宝;高东辉;
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申请日2021-03-29
分类号H02M3/335(20060101);
代理机构34115 合肥天明专利事务所(普通合伙);
代理人金凯
地址 230088 安徽省合肥市高新区合欢路19号
入库时间 2022-08-23 01:49:29

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