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【24h】

Monolithic integration of SOI waveguide photodetectors and transimpedance amplifiers

机译：SOI波导光电探测器和跨阻抗放大器的单片集成

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In the absence of commercial foundry technologies offering silicon-on-insulator (SOI) photonics combined with Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) transistors, monolithic integration of conventional electronics with SOI photonics is difficult. Here we explore the implementation of lateral bipolar junction transistors (LBJTs) and Junction Field Effect Transistors (JFETs) in a commercial SOI photonics technology lacking MOS devices but offering a variety of n- and p-type ion implants intended to provide waveguide modulators and photodetectors. The fabrication makes use of the commercial Institute of Microelectronics (IME) SOI photonics technology. Based on knowledge of device doping and geometry, simple compact LBJT and JFET device models are developed. These models are then used to design basic transimpedance amplifiers integrated with optical waveguides. The devices' experimental current-voltage characteristics results are reported.
机译：在没有商业铸造技术的情况下提供绝缘体（SOI）光子的与互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管结合，难以使用SOI光子学的传统电子器件的单片集成。在这里，我们探讨了缺乏MOS器件的商业SOI光子专业技术中的横向双极结晶体管（LBJT）和结域效应晶体管（JFET）的实施，但是提供了旨在提供波导调制器和光电探测器的各种N-和P型离子植入物。该制造利用了微电子（IME）SOI光子技术的商业研究所。基于对设备掺杂和几何形状的知识，开发了简单的紧凑型LBJT和JFET设备型号。然后使用这些模型来设计与光波导集成的基本跨阻抗放大器。报告了设备的实验电流 - 电压特性。

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