Improved scatterometry method of critical dimension measurements and its application for control of development process

机译：改进的关键尺寸测量散射法及其在开发过程控制中的应用

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Downscaling of microchip production technology continually increases requirements to precision of process control, and demands improvement of critical dimension (CD) measurement and control tools. In this paper we discuss the application of in situ method of critical dimension measurement for improvement of photomask development process. For this purpose scatterometry and fitting methods are applied to the CD end point detector system (CD EPD). The CD EPD system is different from the commonly used EPD system, which mainly detects the thickness of remaining resist. Measurement can be performed directly during development process, thus there is an advantage of measurement time decreasing in comparison with the ex situ method. In situ method allows one to control development precisely, and gives possibility to meet the requirements of process control. For the application of scatterometry to the CD measurement, diffraction analysis is carried out by using of rigorous coupled wave analysis (RCWA). We calculate the library of reflected spectra with various CD and heights of the pattern. These spectra are used for fitting with an experimentally measured one to get the CD and height. To increase precision and speed of measurements interpolation of spectra and various fitting methods are used.

机译：微芯片生产技术的缩小规模不断提高对过程控制精度的要求，并要求改进关键尺寸（CD）测量和控制工具。在本文中，我们讨论了临界尺寸测量的原位测量方法在改进光掩模显影工艺中的应用。为此，将散射测定法和拟合方法应用于CD终点检测器系统（CD EPD）。 CD EPD系统与常用的EPD系统不同，后者主要检测残留抗蚀剂的厚度。可以在显影过程中直接进行测量，因此与异地方法相比，测量时间有所减少。原位方法允许人们精确地控制开发，并提供了满足过程控制要求的可能性。为了将散射测量法应用于CD测量，通过使用严格的耦合波分析（RCWA）进行衍射分析。我们计算具有各种CD和图案高度的反射光谱库。这些光谱用于与实验测量的光谱拟合，以得到CD和高度。为了提高测量的精度和速度，使用了光谱插值和各种拟合方法。

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来源
《Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XX pt.1》|2006年|P.61520G.1-61520G.10|共10页
会议地点 San JoseCA(US)
作者
Irina Pundaleva; Dongseok Nam; Hakseung Han; Donggun Lee; Woosung Han;
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作者单位

Memory Division, Samsung Electronics Co., 449-711 San 24, Nongseo-Dong, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do, Korea;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光刻、掩膜;
关键词
scatterometry; critical dimension; end point detector; development;

机译：散射法；临界尺寸；终点检测器；研制;

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