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首页> 外文会议>Microelectronics Technology and Devices-SBMicro 2008 >Channel Length Influence on the Performance of Source-Follower Buffers Implemented with Graded-Channel SOI nMOSFETs
【24h】

Channel Length Influence on the Performance of Source-Follower Buffers Implemented with Graded-Channel SOI nMOSFETs

机译：通道长度对渐变通道SOI nMOSFET实现的源极跟随缓冲器性能的影响

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This work presents an evaluation of the influence of channel length on the performance of graded-channel (GC) SOI nMOSFETs operating as source-follower buffers. Experimental data is used to compare the buffer gain and linearity of GC and standard SOI nMOS transistors for different mask channel lengths and similar effective channel length. Two-dimensional numerical simulations were also performed, showing that the gain of buffers implemented with GC devices remains close to the theoretical limit even when short-channel devices are used. The simulated results indicate that the length of a source-follower buffer using GC devices can be reduced by a factor of 5, in comparison with the standard counterpart, without gain degradation or linearity worsening.
机译：这项工作评估了沟道长度对用作源极跟随缓冲器的渐变沟道（GC）SOI nMOSFET的性能的影响。实验数据用于比较不同掩膜沟道长度和相似有效沟道长度的GC和标准SOI nMOS晶体管的缓冲增益和线性。还进行了二维数值模拟，结果表明，即使使用短通道设备，使用GC设备实现的缓冲区的增益仍保持在理论极限附近。仿真结果表明，与标准对应物相比，使用GC装置的源跟随器缓冲区的长度可以减少5倍，而不会导致增益降低或线性度恶化。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR)
  • 作者

    M. de Souza; D. Flandre; M. A. Pavanello;

  • 作者单位

    Laboratorio de Sistemas Integraveis, Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil;

    Microelectronics Laboratory, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium;

    Laboratorio de Sistemas Integraveis, Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Brazil;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
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