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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >Analysis of Lateral SOI PIN Diodes for the Detection of Blue and UV Wavelengths in a Wide Temperature Range
【24h】

Analysis of Lateral SOI PIN Diodes for the Detection of Blue and UV Wavelengths in a Wide Temperature Range

机译：用于宽温度范围内的蓝色和紫外线波长检测的横向SOI PIN二极管分析

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摘要

PN junctions are often used as photodetectors. In these devices, electron-hole pairs are generated by the incidence of photons in the depleted region and carriers are separated by the electric field. The width of the depleted region is a trade-off between speed and sensitivity -it must be large enough to allow for the absorption of a large number of incident photons, but sufficiently short to reduce the transit time for drift of photogenerated carriers (1, 2). One common way to control the width of the depleted regions is to use PIN photodiodes. It consists of P and N regions separated by an intrinsic (I) region, with length Lj.
机译：PN结通常用作光电探测器。在这些器件中，电子空穴对是由耗尽区中的光子入射产生的，并且载流子被电场隔开。耗尽区的宽度是速度和灵敏度之间的折衷-它必须足够大以允许吸收大量入射光子，但又要足够短以减少光生载流子漂移的传输时间（1， 2）。控制耗尽区宽度的一种常用方法是使用PIN光电二极管。它由被长度为Lj的本征（I）区域分隔的P和N个区域组成。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    M. de Souza; O. Bulteel; D. Flandre; M. A. Pavanello;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, Centro Universitáiio da FEI,Sao Bernardo do Campo, Brazil;

    rn Microelectronics Laboratory, ICTEAM Institute, UC Louvain,Louvain-la-Neuve, Belgium;

    Microelectronics Laboratory, ICTEAM Institute, UC Louvain,Louvain-la-Neuve, Belgium;

    Department of Electrical Engineering, Centro Universitáiio da FEI,Sao Bernardo do Campo, Brazil;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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