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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2011 >Si Nanocrystals Embedded in SiO_2 Produced by Reactive Sputtering for Light Emission
【24h】

Si Nanocrystals Embedded in SiO_2 Produced by Reactive Sputtering for Light Emission

机译：反应溅射制备的嵌入SiO_2中的Si纳米晶体用于发光

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In the present work, we confectioned light emitting SiO_x (x<2) samples using reactive sputtering. By controlling the oxygen concentration in the deposition chamber (range from 0.5% up to 10), an excess of silicon was created in the formed silicon oxide films. Only after a thermal annealing (temperatures from 1050℃ to 1100℃), the samples showed the photoluminescence (PL) effect. Silicon nanocrystals formed during the thermal annealing were the responsible for the observed PL signal when excited with the 488nm line of argon laser. We also performed thermal annealing at 450℃, using forming gas ambient to passivate the silicon nanocrystals interface. The result was a significant improvement in PL signal. Furthermore, the Rutherford Backscattering Spectrometry experiment showed that the deposition time is an important parameter to create the silicon excess and achieve light emission.
机译：在目前的工作中，我们使用反应溅射法对发光的SiO_x（x <2）样品进行了染色。通过控制沉积室中的氧气浓度（范围从0.5％到10），在形成的氧化硅膜中会产生过量的硅。仅在热退火（温度从1050℃到1100℃）后，样品才显示出光致发光（PL）效应。在热退火过程中形成的硅纳米晶体是由488nm的氩激光线激发时观察到的PL信号的原因。我们还使用形成气体环境使硅纳米晶体界面钝化，在450℃进行了热退火。结果显着改善了PL信号。此外，卢瑟福背散射光谱实验表明，沉积时间是产生过量硅并实现发光的重要参数。

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