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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2011 >MOSFET on Thin Si Diaphragm as Pressure Sensor
【24h】

MOSFET on Thin Si Diaphragm as Pressure Sensor

机译：薄Si膜片上的MOSFET作为压力传感器

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This paper presents original designs of pressure sensor combining thin membrane micro-technology with a simple MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) detection. The proposed microelectronic process (fig. 1) is quite simple and could lead to the development of low pressure sensor. The sensor designs are based on square and cross shaped P-channel MOSFET directly integrated on the diaphragm. Electrical characterization of the FET-sensor shows wide drift of the characteristics in response to mechanical strain on the membrane. The shift importance is shown to depend on the different designs used to fabricate the FET-sensors.
机译：本文介绍了结合了薄膜微技术和简单的MOSFET（金属氧化物硅场效应晶体管）检测的压力传感器的原始设计。拟议的微电子过程（图1）非常简单，可能会导致低压传感器的发展。传感器设计基于直接集成在膜片上的方形和十字形P沟道MOSFET。 FET传感器的电特性表明，响应于膜片上的机械应变，特性出现了很大的漂移。所示的转移重要性取决于用于制造FET传感器的不同设计。

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