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在拉伸应变绝缘体上SiGe上的应变SiMOSFET

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本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。

著录项

公开/公告号CN100461446C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200510079456.2
发明设计人陈国仕;赵泽安;科恩·里姆;师利仁;
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申请日2005-06-23
分类号H01L29/02(20060101);H01L27/12(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/84(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人付建军
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:01:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/02 登记生效日:20171130 变更前: 变更后: 申请日:20050623

专利申请权、专利权的转移
2017-12-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/02 登记生效日:20171130 变更前: 变更后: 申请日:20050623

专利申请权、专利权的转移
2009-02-11

授权

授权
2009-02-11

授权

授权
2006-03-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-03-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-04

公开

公开
2006-01-04

公开

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