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DIAGNOSTICS OF LARGE-AREA SOLAR CELL HOMOGENEITY BY LOCAL IRRADIATION

机译:局部照射对大面积太阳能电池同质性的诊断

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摘要

The measuring method described allows a simplification and speed up of the inprocess diagnostics of solar cells. The distribution of the measured V_(OC) induced by local infrared irradiation (e.g. a laser diode with λ= 870 nm) mostly corresponds to the local defect (carrier lifetime) distribution in the single-crystalline material of the p-base, and may be also influenced by high-temperature processes. In combination with local irradiation by visible light (e.g. a laser diode of λ = 635 nm), information about the distribution of surface recombination can also be obtained.
机译:所描述的测量方法可以简化并加速太阳能电池的过程诊断。由局部红外辐射(例如,λ= 870 nm的激光二极管)引起的测量V_(OC)的分布大部分对应于p基单晶材料中的局部缺陷(载流子寿命)分布,并且可能也会受到高温过程的影响。与可见光(例如,λ= 635nm的激光二极管)的局部照射相结合,也可以获得关于表面复合的分布的信息。

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