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首页> 外文会议>NATO Advanced Study Institute on Photovoltaic and Photoactive Materials - Properties, Technology and Applications Sep 9-21, 2001 Sozopol, Bulgaria >EXTRINSIC SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY―AN ALTERNATIVE APPROACH TO DEEP LEVEL CHARACTERISATION IN SEMICONDUCTORS
【24h】

EXTRINSIC SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY―AN ALTERNATIVE APPROACH TO DEEP LEVEL CHARACTERISATION IN SEMICONDUCTORS

机译：外在表面光致电压光谱法—一种深层表征半导体的替代方法

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We have shown that the SPV spectral behaviour in bulk SI GaAs:Cr crystals with real (100) surfaces is entirely determined by the photo-ionisation of the main deep centers (Cr~(2+) acceptors, EL2 donors) and shallow levels in the sample bulk. This model is consistent with our earlier investigations, which have shown that in SI GaAs:Cr the surface states are optically inactive in the extrinsic spectral range up to the band-gap energy. This work gives an alternative approach for deep level characterisation in semiconductors, based on extrinsic SPV spectroscopy. Financial support from the Bulgarian National Science Fund and the Sofia University Research Fund is gratefully acknowledged.
机译：我们已经表明，具有真实（100）表面的块状SI GaAs：Cr晶体中的SPV光谱行为完全由主要深中心（Cr〜（2+）受体，EL2供体）和浅能级的光电离确定。样品批量。该模型与我们先前的研究一致，后者表明，在SI GaAs：Cr中，表面状态在非能谱范围内直至带隙能量都没有光学活性。这项工作提供了一种基于外部SPV光谱学的半导体深层表征的替代方法。非常感谢保加利亚国家科学基金和索非亚大学研究基金的资助。

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