Institut de Physique Nucleaire d'Orsay F-91406 Orsay Cedex, France;
机译:40 MeV氘核在铝和铜上的厚靶中子生产
机译:25 MeV氘核的Li,〜9Be(d,n)反应中不同厚度目标厚中子产率和〜7Be产生的测量
机译:24-Mev氘核和12-Mev质子轰击的厚靶的中子产率
机译:氘代的实验性和计算中子生成,C和U厚的目标(17,20,28,80,160和200 mev)
机译:40 MEV时质子-质子四级散射氘(质子,2质子)中子反应。
机译:CVD金刚石至70meV质子快节中子和200meV接头的辐射耐受性研究
机译:200 MeV质子,氘核和$ ^ {4} He $诱导的厚Pb靶的散裂反应的中子多样性分布