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首页> 外文会议>New functional materials and emerging device architectures for nonvolatile memories >Enhancement of Nonvolatile Floating Gate Memory Devices Containing AglnSbTe-SiO_2 Nanocomposite by Inserting HfO_2/SiO_2 Blocking Oxide Layer
【24h】

Enhancement of Nonvolatile Floating Gate Memory Devices Containing AglnSbTe-SiO_2 Nanocomposite by Inserting HfO_2/SiO_2 Blocking Oxide Layer

机译：通过插入HfO_2 / SiO_2阻挡氧化物层来增强包含AglnSbTe-SiO_2纳米复合材料的非易失性浮栅存储器件

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This work presents an enhancement of nonvolatile floating gate memory (NFGM) devices comprised of AglnSbTe (AIST) nanocomposite as the charge-storage trap layer and HfO_2 or HfO_2/SiO_2 as the blocking oxide layer. A significantly large memory window (△VFB) shift = 30.7 V and storage charge density = 2.3× 10~(13) cm~(-2) at ±23V gate voltage sweep were achieved in HfO_2/SiO_2/AlST sample. Retention time analysis observed a △VFb shift about 19.3 V and the charge loss about 13.4% in such a sample under the +15V gate voltage stress after 10~4 sec retention time test. Regardless of applied bias direction, the sample containing HfO_2/SiO_2 layer exhibited the leakage current density as low as 150 nA/cm~2 as revealed by the current-voltage (I-V) measurement. This effectively suppresses the electron injection between gate electrode and charge trapping layer and leads to a substantial enhancement of NFGM characteristics.
机译：这项工作提出了由AgInSbTe（AIST）纳米复合材料作为电荷存储陷阱层和HfO_2或HfO_2 / SiO_2作为阻挡氧化物层组成的非易失性浮栅存储器（NFGM）器件的增强。在HfO_2 / SiO_2 / AlST样品中，在±23V的栅极电压扫描下，获得了一个非常大的存储窗口（△VFB）偏移= 30.7 V，存储电荷密度= 2.3×10〜（13）cm〜（-2）。保留时间分析在10〜4 s的保留时间测试后，在+ 15V栅极电压应力下，在这样的样品中观察到△VFb漂移约19.3 V，电荷损失约13.4％。不管施加的偏压方向如何，包含HfO_2 / SiO_2层的样品的漏电流密度低至150 nA / cm〜2，这是通过电流-电压（I-V）测量得到的。这有效地抑制了电子在栅电极和电荷俘获层之间的注入，并导致NFGM特性的显着增强。

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