具有Al_2O_3阻挡层的HfO_2栅介质膜的界面和电学性能的表征(英文)

程新红; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉; 沈达身

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研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为–4.5×1011/cm2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。

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来源
《稀有金属材料与工程》 |2009年第2期|189-192|共4页
作者
程新红; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉; 沈达身;
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作者单位

温州大学;

中国科学院上海微电子与信息技术研究所;

University of Alabama;

Alabama 35899;

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正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
栅介质; HfO2; 阻挡层; Al2O3;

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