高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)

武德起; 姚金城; 赵红生; 张东炎; 常爱民; 李锋; 周阳

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采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔。900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层。实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小。

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来源
《功能材料与器件学报》 |2009年第1期|71-74|共4页
作者
武德起; 姚金城; 赵红生; 张东炎; 常爱民; 李锋; 周阳;
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作者单位

中国科学院新疆理化技术研究所;

中国科学院北京半导体所;

中科院研究生院;

河北大学物理科学与技术学院;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
高介电栅介质材料; 激光分子束外延; 二氧化铪;

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