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Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009
Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009
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1.
Interface engineering for the suppression of ambipolar behavior in Schottky-barrier MOSFETs
机译:
抑制肖特基势垒MOSFET中双极性行为的接口工程
作者:
Ghoneim H.
;
Knoch J.
;
Riel H.
;
Webb D.
;
Bjork M.T.
;
Karg S.
;
Lortscher E.
;
Schmid H.
;
Riess W.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
2.
Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs
机译:
全3D实空间处理双栅极MOSFET中的表面粗糙度
作者:
Buran Claudio
;
Pala Marco G.
;
Poli Stefano
;
Mouis Mireille
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
3.
Computational exploration of novel silicon nanostructures
机译:
新型硅纳米结构的计算探索
作者:
Nishio Kengo
;
Ozaki Taisuke
;
Morishita Tetsuya
;
Shinoda Wataru
;
Mikami Masuhiro
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
4.
Intrinsic cut off frequency of Si and GaAs based Resonant Tunneling Diodes
机译:
Si和GaAs基共振隧穿二极管的固有截止频率
作者:
Buccafurri E.
;
Clerc R.
;
Calmon F.
;
Pala M.
;
Poncet A.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
5.
Ge and III/V devices for advanced CMOS
机译:
用于高级CMOS的Ge和III / V器件
作者:
Heyns Marc
;
Adelmann Christoph
;
Brammertz Guy
;
Brunco David
;
Caymax Matty
;
De Jaeger Brice
;
Delabie Annelies
;
Eneman Geert
;
Houssa Michel
;
Lin Dennis
;
Martens Koen
;
Merckling Clement
;
Meuris Marc
;
Mittard Jerome
;
Penaud Julien
;
Pourtois Ge
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
6.
Rare-earth based alternative gate dielectrics for future integration in MOSFETs
机译:
基于稀土的替代栅极电介质,可在将来集成到MOSFET中
作者:
Lopes J.M.J.
;
Durgun-Ozben E.
;
Roeckerath M.
;
Littmark U.
;
Luptak R.
;
Lenk St.
;
Besmehn A.
;
Breuer U.
;
Schubert J.
;
Mantl S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
7.
Quantization effects in silicided and metal gate MOSFETs
机译:
硅化金属栅极MOSFET中的量化效应
作者:
Rodriguez N.
;
Gamiz F.
;
Clerc R.
;
Sampedro C.
;
Godoy A.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
8.
Implementing brain-like systems using nano functional devices
机译:
使用纳米功能设备实现类似大脑的系统
作者:
Shibata Tadashi
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
analog VLSI;
associative processor;
brain computing;
image recognition;
nano device;
psychological inspiration;
resonance characteristics;
9.
Phenomenological considerations of resistively switching TiO
2
in nano crossbar arrays
机译:
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2 inf>的现象学考虑
作者:
Nauenheim C.
;
Kugeler C.
;
Trellenkamp St.
;
Rudiger A.
;
Waser R.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
10.
Comparison of advanced transport models for nanoscale nMOSFETs
机译:
纳米级nMOSFET的先进传输模型比较
作者:
Palestri P.
;
Alexander C.
;
Asenov A.
;
Baccarani G.
;
Bournel A.
;
Braccioli M.
;
Cheng B.
;
Dollfus P.
;
Esposito A.
;
Esseni D.
;
Ghetti A.
;
Fiegna C.
;
Fiori G.
;
Aubry-Fortuna V.
;
Iannaccone G.
;
Martinez A.
;
Majkusiak B.
;
Monfray S.
;
Reggiani
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
11.
Characterization of dopant segregated Schottky barrier source/drain contacts
机译:
掺杂物隔离肖特基势垒源极/漏极触点的特性
作者:
Gudmundsson Valur
;
Hellstrom Per-Erik
;
Zhang Shi-Li
;
Ostling Mikael
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
12.
Silicon spintronics
机译:
硅自旋电子学
作者:
Appelbaum Ian
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
13.
Correlation of fin shape fluctuations to FinFET electrical variability and noise margins of 6-T SRAM cells
机译:
鳍形波动与6-T SRAM单元的FinFET电可变性和噪声容限的相关性
作者:
Baravelli Emanuele
;
De Marchi Luca
;
Jurczak Malgorzata
;
Speciale Nicolo
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
14.
Efficient simulations of 6σ V
T
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机译:
随机离散掺杂引起的6σV
T inf>分布的高效仿真
作者:
Reid Dave
;
Millar Campbell
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Roy Gareth
;
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;
Asenov Asen
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
15.
Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
机译:
低至0.9 nm SOI厚度的UTB n-MOSFET的迁移率提取
作者:
Schmidt M.
;
Lemme M.C.
;
Gottlob H.D.B.
;
Kurz H.
;
Driussi F.
;
Selmi L.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
16.
Accurate effective mobility extraction in SOI MOS transistors
机译:
SOI MOS晶体管中的准确有效迁移率提取
作者:
Thomas S.M.
;
Whall T.E.
;
Parker E.H.C.
;
Leadley D.R.
;
Lander R.J.P.
;
Vellianitis G.
;
Watling J.R.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
17.
Effect of access resistance on apparent mobility reduction in nano-MOSFET
机译:
存取电阻对纳米MOSFET表观迁移率降低的影响
作者:
Huet K.
;
Saint-Martin J.
;
Bournel A.
;
Querlioz D.
;
Dollfus P.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
18.
Static and low frequency noise characterization of FinFET devices
机译:
FinFET器件的静态和低频噪声表征
作者:
Bennamane K.
;
Boutchacha T.
;
Ghibaudo G.
;
Mouis M.
;
Collaert N.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
19.
A unified density gradient approach to ‘ab-initio’ ionised impurity scattering in 3D MC simulations of nano-CMOS variability
机译:
纳米CMOS变异性的3D MC模拟中采用统一的密度梯度方法实现“从头算起”电离杂质散射
作者:
Alexander C.
;
Kovac U.
;
Roy G.
;
Roy S.
;
Asenov A.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
20.
Organic electronics
机译:
有机电子
作者:
Heremans Paul
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
21.
Characterisation of CMOS compatible vertical MOSFETs with new architectures through EKV parameter extraction and RF measurement
机译:
通过EKV参数提取和RF测量来表征具有新架构的CMOS兼容垂直MOSFET
作者:
Tan L.
;
Hakim M. M. A.
;
Connor S.
;
Bousquet A.
;
Redman-White W.
;
Ashburn P.
;
Hall S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
22.
Scalability of MSD memory effect
机译:
MSD记忆效应的可伸缩性
作者:
Hubert A.
;
Cristoloveanu S.
;
Bawedin M.
;
Ernst T.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
23.
A multilayer RRAM nanoarchitecture with resistively switching Ag-doped spin-on glass
机译:
电阻切换掺银旋涂玻璃的多层RRAM纳米结构
作者:
Meier M.
;
Rosezin R.
;
Gilles S.
;
Rudiger A.
;
Kugeler C.
;
Waser R.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
methyl-silsesquioxane;
multilayer memory devices;
nanoimprint lithography;
resistive switching;
24.
Underlap channel UTBB MOSFETs for low—power analog/RF applications
机译:
适用于低功率模拟/ RF应用的下叠通道UTBB MOSFET
作者:
Kranti A.
;
Burignat S.
;
Raskin J.-P.
;
Armstrong G.A.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Analog/RF;
Cut—off frequency;
Low-voltage applications;
SOI MOSFETs;
Underlap channel architecture;
Voltage gain;
25.
Integration of laser-annealed junctions in a low-temperature high-k metal-gate MISFET
机译:
激光退火结在低温高k金属栅MISFET中的集成
作者:
Biasotto Cleber
;
Jovanovic Vladimir
;
Gonda Viktor
;
van der Cingel Johan
;
Milosavljevic Silvana
;
Nanver Lis K.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
26.
Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers
机译:
讨论SIMOX晶片中高密度陷阱态的起源
作者:
Nakajima Yoshikata
;
Toda Takahiro
;
Hanajiri Tatsuro
;
Toyabe Toru
;
Sugano Takuo
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
27.
Detection of strain minimization in Hf-based gate dielectrics by X-ray absorption and non-linear optical second harmonic generation spectroscopy
机译:
通过X射线吸收和非线性光学二次谐波产生光谱检测基于Hf的栅极电介质中的应变最小化
作者:
Gundogdu K.
;
Lucovsky G.
;
Chung K.-B.
;
Kim J.
;
Nordlund D.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
28.
Impact of TiN metal gate thickness and the HfSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
机译:
TiN金属栅极厚度和HfSiO氮化对MuGFET电气性能的影响
作者:
Rodrigues M.
;
Mercha A.
;
Simoen E.
;
Collaert N.
;
Claeys C.
;
Martino J.A.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
29.
Modeling of Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor on H- terminated polycrystalline diamond
机译:
H端多晶金刚石上金属半导体场效应晶体管的建模
作者:
Pasciuto B.
;
Ciccognani W.
;
Limiti E.
;
Calvani P.
;
Rossi M. C.
;
Conte G.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
carbon based electronic;
dc and rf performance;
device modeling;
device technology;
electrical characteristics;
semiconductor devices;
small-signal equivalent circuit;
wide band semiconductors;
30.
A scalable architecture of associative processors employing nano functional devices
机译:
采用纳米功能设备的关联处理器的可扩展架构
作者:
Tu Bui Trong
;
Shibata Tadashi
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
31.
V
th
-control method in double gate field effect transistor domino circuits
机译:
双栅极场效应晶体管多米诺电路中的第V
inf>控制方法
作者:
Zeinolabedinzadeh Saeed
;
Ebrahimi Behzad
;
Afzali-Kusha Ali
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Domino logic;
Vinfth/inf-control method;
double-gate field effect transistors;
32.
Silicon Rich Oxide with controlled mean size of silicon nanocrystals by deposition in multilayers
机译:
通过多层沉积可控制硅纳米晶体平均尺寸的富硅氧化物
作者:
Quiroga E.
;
Bensch W.
;
Aceves M.
;
Yu Z.
;
Savy J. P.
;
Haeckel M.
;
Lechner A.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Raman for size determination;
SRO;
Si nanocrystals;
Silicon Rich Oxide;
multilayer;
size control;
33.
Quantized logic switch implementation through a superconducting transformer
机译:
通过超导变压器实现量化逻辑开关
作者:
Kerner C.
;
Golubovic D.S.
;
Hackens B.
;
Poli S.
;
Rens G.
;
Faniel S.
;
Schoenmaker W.
;
Bayot V.
;
Magnus W.
;
Maes H.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
34.
A surface field based model for ultra thin body undoped symmetric DG MOSFETs
机译:
超薄体无掺杂对称DG MOSFET的基于表面场的模型
作者:
Mohammadi Saeed
;
Afzali-Kusha Ali
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
35.
Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions
机译:
通过在局部BOX区域之间使用重掺杂Si区域来提高绝缘体上漏源MOSFET的性能
作者:
Yamada T.
;
Miyazawa Y.
;
Nakajima Y.
;
Hanajiri T.
;
Toyabe T.
;
Sugano T.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
36.
An efficient threshold voltage model for ultra thin body double gate/SOI MOSFETs
机译:
超薄体双栅极/ SOI MOSFET的有效阈值电压模型
作者:
Mohammadi Saeed
;
Afzali-Kusha Ali
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
37.
Study of new novel FinFET device with its bodies been connected
机译:
新型新颖FinFET器件及其主体的研究已连接
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Po-Hsieh Lin
;
Yi-Chuen Eng
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
38.
Power and delay estimation for dynamic OR gates with header and footer transistor based on wavelet neural networks
机译:
基于小波神经网络的带有页眉和页脚晶体管的动态或门的功率和延迟估计
作者:
Jinhui Wang
;
Wuchen Wu
;
Zuo Lei
;
Ligang hou
;
Xiaohong Peng
;
Daming Gao
;
Na Gong
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
39.
Silicon nanowire pinch-off FET : Basic operation and analytical model
机译:
硅纳米线夹断FET:基本操作和分析模型
作者:
Soree Bart
;
Magnus Wim
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
40.
Sample variability and time stability in scaled silicon nanowires
机译:
比例缩放的硅纳米线的样品变异性和时间稳定性
作者:
Pierre M.
;
Jehl X.
;
Wacquez R.
;
Vinet M.
;
Sanquer M.
;
Belli M.
;
Prati E.
;
Fanciulli M.
;
Verduijn J.
;
Tettamanzi G. C.
;
Lansbergen G. P.
;
Rogge S.
;
Ruoff M.
;
Fleischer M.
;
Wharam D.
;
Kern D.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
41.
A compact physical model for subthreshold current in nanoscale FD/SOI MOSFETs
机译:
纳米级FD / SOI MOSFET中亚阈值电流的紧凑物理模型
作者:
Moradinasab Mahdi
;
Ebrahimi Behzad
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
quantum effects;
silicon-on-insulator (SOI);
subthreshold current;
ultra thin body (UTB);
42.
Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers
机译:
通过控制BOX层的介电常数和厚度来抑制十纳米SOI MOSFET中的DIBL
作者:
Abe Shunpei
;
Miyazawa Yoshiyasu
;
Nakajima Yoshikata
;
Hanajiri Tatsuro
;
Toyabe Toru
;
Sugano Takuo
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
43.
Using charge self-compensation domino full-adder with multiple supply and dual threshold voltage in 45nm technology
机译:
在45nm技术中使用具有多个电源和双阈值电压的电荷自补偿多米诺全加器
作者:
Jinhui Wang
;
Wuchen Wu
;
Ligang Hou
;
Shuqin Geng
;
Wang Zhang
;
Xiaohong Peng
;
Na Gong
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
44.
High-κ Ta
2
O
5
film for resistive switching memory application
机译:
高κTa
2 inf> O
5 inf>膜用于电阻开关存储应用
作者:
Tsai Y.-R.
;
Liao K.-C.
;
Maikap S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
45.
A nano-functional-device-based image feature extraction circuitry with current-balancing feedback
机译:
具有电流平衡反馈的基于纳米功能设备的图像特征提取电路
作者:
Yoshii Kazuma
;
Shibata Tadashi
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
46.
High performance Schottky barrier MOSFETs on UTB SOI
机译:
UTB SOI上的高性能肖特基势垒MOSFET
作者:
Urban C.
;
Sandow C.
;
Zhao Q.-T.
;
Mantl S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
47.
Impact ionization rates for strained SiGe
机译:
应变SiGe的碰撞电离率
作者:
Dinh Thanh Viet
;
Jungemann Christoph
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
48.
Exhaustive experimental study of tunnel field effect transistors (TFETs): From materials to architecture
机译:
隧道场效应晶体管(TFET)的详尽实验研究:从材料到建筑
作者:
Le Royer C.
;
Mayer F.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
49.
Simulation study of graphene nanoribbon tunneling transistors including edge roughness effects
机译:
含边缘粗糙度效应的石墨烯纳米带隧穿晶体管的仿真研究
作者:
Grassi Roberto
;
Gnudi Antonio
;
Reggiani Susanna
;
Gnani Elena
;
Baccarani Giorgio
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
50.
Spectroscopic detection of (i) intrinsic band edge defects, and (ii) transition metal (TM) and rare earth lanthanide (REL) atom occupied states in elemental and complex oxides: A novel pathway to (i) device reliability and (ii) increased functionality in
机译:
光谱检测(i)本征能带边缘缺陷以及(ii)元素氧化物和复合氧化物中的过渡金属(TM)和稀土镧系元素(REL)原子占据状态:(i)器件可靠性和(ii)增加的新途径在功能
作者:
Lucovsky Gerald
;
Hyungtak Seo
;
Kwun-Bum Chung
;
Jinwu Kim
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
51.
Interface oxide trap characterisation in germanium-on-insulator 0.12 μm PMOS transistors by drain current noise measurements
机译:
通过漏极电流噪声测量来表征绝缘体上0.12μm锗化PMOS晶体管的界面氧化物陷阱
作者:
Gyani J.
;
Soliveres S.
;
Martinez F.
;
Valenza M.
;
Le Royer C.
;
Augendre E.
;
Romanjek K.
;
Drazek Charlotte
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
52.
Performance enhancement of uniaxially-tensile strained Si NW-nFETs fabricated by lateral strain relaxation of SSOI
机译:
通过SSOI的横向应变松弛制造的单轴拉伸应变Si NW-nFET的性能增强
作者:
Feste S.F.
;
Knoch J.
;
Habicht S.
;
Buca D.
;
Zhao Q.T.
;
Mantl S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
53.
Basic insight about the strain engineering of n-type FinFETs
机译:
有关n型FinFET的应变工程的基本见解
作者:
Serra N.
;
Esseni D.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
54.
Impact of strain on p-DGMOS performance using full-band Monte Carlo simulation
机译:
使用全频带蒙特卡洛模拟应变对p-DGMOS性能的影响
作者:
Aubry-Fortuna V.
;
Huet K.
;
Bournel A.
;
Rideau D.
;
Chassat C.
;
Dollfus P.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
55.
Modeling of piezoresistive coefficients in Si hole inversion layers
机译:
硅空穴反型层中压阻系数的建模
作者:
Pham A. T.
;
Jungemann C.
;
Meinerzhagen B.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
56.
Proceedings of the 10
th
International conference on ULtimate Integration of Silicon
机译:
第十届硅的最终集成国际会议论文集
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
57.
Advanced SOI CMOS transistor technology for high performance microprocessors
机译:
用于高性能微处理器的高级SOI CMOS晶体管技术
作者:
Horstmann M.
;
Wiatr M.
;
Wei A.
;
Hoentschel J.
;
Feudel Th.
;
Scheiper Th.
;
Stephan R.
;
Gerhadt M.
;
Raab M.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
58.
Pockets engineering impact on mismatch performance on 45nm MOSFET technologies
机译:
袖珍工程对45nm MOSFET技术失配性能的影响
作者:
Mezzomo Cecilia M.
;
Leyris Cedric
;
Josse Emmanuel
;
Ghibaudo Gerard
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
59.
A comparative study of non-melt laser spike annealing and flash lamp annealing in terms of transistor performance and pattern effects on SOI-CMOSFETs for the 32 nm node and below
机译:
在晶体管性能和图案对32 nm以下节点的SOI-CMOSFET的影响方面,对非熔融激光尖峰退火和闪光灯退火进行了比较研究
作者:
Illgen R.
;
Flachowsky S.
;
Herrmann T.
;
Feudel T.
;
Thron D.
;
Bayha B.
;
Klix W.
;
Horstmann M.
;
Stenzel R.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
60.
Scalability of advanced partially depleted n-MOSFET devices on biaxial strained SOI substrates
机译:
先进的部分耗尽型n-MOSFET器件在双轴应变SOI衬底上的可扩展性
作者:
Flachowsky S.
;
Hontschel J.
;
Wei A.
;
Illgen R.
;
Hermann P.
;
Herrmann T.
;
Klix W.
;
Stenzel R.
;
Ramirez A.
;
Horstmann M.
;
Kernevez N.
;
Cayrefourcq I.
;
Metral F.
;
Kennard M.
;
Guiot E.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
61.
The disposable dot FET: A strained silicon channel on top of removed SiGe
机译:
一次性点FET:在去除的SiGe顶部的应变硅沟道
作者:
Gerharz J.
;
Mussler G.
;
Moers J.
;
Rinke G.
;
Trellenkamp St.
;
Grutzmacher D.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
62.
Effective-mass model of surface scattering in locally oxidized Si nanowires
机译:
局部氧化硅纳米线表面散射的有效质量模型
作者:
Drouvelis P.
;
Fagas G.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Intraband scattering;
oxidation;
silicon nanowires;
63.
MESFETs on H-terminated polycrystalline diamond
机译:
H端多晶金刚石上的MESFET
作者:
Calvani P.
;
Sinisi F.
;
Rossi M. C.
;
Conte G.
;
Giovine E.
;
Ciccognani W.
;
Limiti E.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
carbon based electronics;
device technology;
diamond;
electrical characteristics;
semiconductor devices;
wide band semiconductors;
64.
Compact modeling of quantization effects for cylindrical gate-all-around MOSFETs
机译:
圆柱型全栅MOSFET的量化效应的紧凑模型
作者:
Cousin Bastien
;
Rozeau Olivier
;
Jaud Marie-Anne
;
Jomaah Jalal
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Cylindrical nanowire gate-all-around (GAA) MOSFET;
compact modeling;
quantum-mechanical effects (QME);
65.
Simulation assessment of process options for advanced CMOS devices
机译:
仿真评估高级CMOS器件的工艺选项
作者:
Kampen C.
;
Burenkov A.
;
Lorenz J.
;
Ryssel H.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
66.
Impact of sputter deposited TaN and TiN metal gates on ZrO
2
/Ge and ZrO
2
/Si high-k dielectric gate stacks
机译:
溅射沉积的TaN和TiN金属栅对ZrO
2 inf> / Ge和ZrO
2 inf> / Si高k介电栅堆叠的影响
作者:
Henkel C.
;
Abermann S.
;
Bethge O.
;
Klang P.
;
Bertagnolli E.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
TaN;
TiN;
ZrOinf2/inf;
effective work function;
germanium;
high-k;
metal-gate;
silicon;
tantalum-nitride;
titanium-nitride;
zirconium-oxide;
67.
Interfacial and electrical characterization of HfO
2
gate dielectric film with a blocking layer of Al
2
O
3
机译:
HfO
2 inf>栅电介质膜与Al
2 inf> O
3 inf>阻挡层的界面和电学特性
作者:
Xinhong Cheng
;
Dawei He
;
Zhaorui Song
;
Yuehui Yu
;
Qing-Tai Zhao
;
DaShen Shen
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Alinf2/infOinf3/inf;
HfOinf2/inf;
blocking layer;
gate dielectrics;
68.
Electrical characteristics of atomic layer deposited aluminium oxide and lanthanum-zirconium oxide high-k Dielectric stacks
机译:
原子层沉积的氧化铝和镧锆氧化物高k电介质堆的电学特性
作者:
Abermann S.
;
Henkel C.
;
Bethge O.
;
Bertagnolli E.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
MOS capacitors;
aluminum oxid;
electrial characteristics;
germanium;
lanthanum oxide;
silicon;
zirconium oxide;
69.
Design considerations for undoped FinFETs based on a 3D compact model for the potential barrier
机译:
基于3D紧凑型势垒模型的未掺杂FinFET的设计注意事项
作者:
Kloes Alexander
;
Weidemann Michaela
;
Schwarz Mike
;
Holtij Thomas
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
70.
Peculiarities of electrical properties of metal-insulator-semiconductor capacitors based on high-k dielectric stack containing HfTiSiO:N and HfTiO:N films
机译:
基于包含HfTiSiO:N和HfTiO:N膜的高k介电叠层的金属-绝缘体-半导体电容器的电气特性
作者:
Mikhelashvili V.
;
Thangadurai P.
;
Kaplan W. D.
;
Eisenstein G.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
71.
Valley splitting in thin silicon films from a two-band k·p model
机译:
两带k·p模型在硅薄膜中的波谷分裂
作者:
Sverdlov V.
;
Windbacher T.
;
Baumgartner O.
;
Schanovsky F.
;
Selberherr S.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
72.
A Parzen-window classifier architecture for massively-integrated nanoscale resonant devices
机译:
用于大规模集成纳米级谐振设备的Parzen窗口分类器架构
作者:
Kang Kyunghee
;
Shibata Tadashi
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
73.
Quantum compact model for ultra-narrow body FinFET
机译:
超窄体FinFET的量子紧凑模型
作者:
Mingchun Tang
;
Pregaldiny Fabien
;
Lallement Christophe
;
Sallese Jean-Michel
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
74.
Investigation of the vertical IMOS-transistor by device simulation
机译:
通过器件仿真研究垂直IMOS晶体管
作者:
Kraus Rainer
;
Jungemann Christoph
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
75.
Impact of strain on the performance of high-k/metal replacement gate MOSFETs
机译:
应变对高k /金属替换栅极MOSFET的性能的影响
作者:
Wang Xingsheng
;
Roy Scott
;
Asenov Asen
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
76.
A quantum transport approach to the calculation of gate tunnelling current in Nano-scale FD SOI MOSFETs
机译:
一种量子传输方法,用于计算纳米级FD SOI MOSFET的栅极隧穿电流
作者:
Hasani Fargol
;
Fathipour Morteza
;
Karimi Fatemeh
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Nanotransistor;
dissipative transport;
gate tunneling current;
modeling;
scattering self energy;
77.
CMOS sensor array for bi-directional communication with electrically active cells
机译:
CMOS传感器阵列,用于与电有源单元进行双向通信
作者:
Yegin U.
;
Schindler M.
;
Ingebrandt S.
;
Eick S.
;
Kim S. K.
;
Hwang C.S.
;
Schindler C.
;
Schubert J.
;
Schroeder H.
;
Kim S.K.
;
Offenhauser A.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
78.
Stable, low power and high performance SRAM based on CNFET
机译:
基于CNFET的稳定,低功耗和高性能SRAM
作者:
Moradinasab Mahdi
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
CNFET;
SRAM;
backgate voltage;
high performance;
low power;
nano electronics;
79.
Nanoscale Ultra Thin Body-Silicon-On-Insulator field effect transistor with step BOX: Self-heating and short channel effects)
机译:
具有步骤BOX的纳米级超薄绝缘体上硅绝缘体场效应晶体管:自热和短沟道效应)
作者:
GHanatian Hamdam
;
Fathipour Morteza
;
Talebi Hamed
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
self-heating effec;
short channel effect;
step BOX;
ultra thin body field effect transistor;
80.
NBTI tolerant 4T double-gate SRAM design
机译:
耐NBTI的4T双栅极SRAM设计
作者:
Ebrahimi Behzad
;
Afzali-Kusha Ali
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
4T SRAM;
Double-gate;
NBTI;
Reliability aware design;
81.
Using low-k oxide for reduction of leakage current in Double Gate Tunnel FET
机译:
使用低k氧化物减少双栅隧道FET中的泄漏电流
作者:
Vadizadeh Mahdi
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
band to band tunneling;
high-k oxide;
low-k oxide;
work function engineering;
82.
A novel structure for improvment the I
on
/I
off
ratio in nano-scale double gate source-heterojunction-MOS-transistor
机译:
一种改善纳米级双栅源极-异质结-MOS-晶体管的I
on inf> / I
off inf>比的新颖结构
作者:
Tahermaram Mahsa
;
Vadizadeh Mahdi
;
Fathipour Morteza
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
GIDL;
SHOT;
band offset energy;
band to band generation;
heterojunction;
off-state current;
83.
Analytical modeling of Negative Bias Temperature Instability in triple gate MOSFETs
机译:
三栅极MOSFET的负偏置温度不稳定性的解析模型
作者:
Ghobadi Nayereh
;
Afzali-Kusha Ali
;
Asl-Soleimani Ebrahim
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Analytical Modeling;
Negative Bias Temperature Instability;
Reaction—Diffusion (R-D) model;
Triple Gate MOSFETs;
84.
Modeling effect of Negative Bias Temperature Instability on potential distribution and degradation of double-gate MOSFETs
机译:
负偏置温度不稳定性对双栅MOSFET的电位分布和退化的建模效果
作者:
Ghobadi Nayereh
;
Afzali-Kusha Ali
;
Asl-Soleimani Ebrahim
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
关键词:
Double-gate MOSFETs;
Floating body effect;
Modeling;
Negative Bias Temperature Instability;
Poisson's equation;
85.
Carbon-based thermal stabilization techniques for junction and silicide engineering for high performance CMOS periphery in memory applications
机译:
用于结和硅化物工程的碳基热稳定技术,用于存储器应用中的高性能CMOS外围设备
作者:
Ortolland C.
;
Mathew S.
;
Duffy R.
;
Saino K.
;
Kim C.S.
;
Mertens S.
;
Horiguchi N.
;
Vrancken C.
;
Chiarella T.
;
Kerner C.
;
Absil P.P.
;
Lauwers A.
;
Biesemans S.
;
Hoffmann T.
会议名称:
《Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009》
|
2009年
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