Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road, Singapore 117685;
机译:使用跨桥开尔文电阻的接触电阻率提取中的误差传播
机译:通过跨桥开尔文电阻评估了势垒高度受控的PtHfSi与Si的低接触电阻率
机译:跨桥开尔文电阻器结构,用于低接触电阻的可靠测量和接触界面特性
机译:跨桥开尔文电阻器结构和传输线方法结构评估超低比接触电阻
机译:使用印刷电阻器与标准制造的电阻器比较心电图模拟前端的性能。
机译:低温(2–20°开氏温度)下锗电阻的校准
机译:跨桥开尔文电阻器结构,可靠地测量低接触电阻和接触界面特性
机译:跨桥板电阻器的设计考虑因素