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CHARACTERIZATIONS OF MG IMPLANTED GAN

机译：MG植入GAN的特性

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摘要

With 150KeV Mg~+ ion implantation, the optical and structural characteristics of GaN films were studied. Post-implant annealing up to 1000℃ was performed in N_2 ambient with a rapid thermalrnannealing (RTA) system, without an encapsulation layer. We observed a green band photoluminescence from Mg-implanted GaN. This green band photoluminescence should be associated with Mg induced defect-clustering in GaN. We also use the x-ray diffraction method to study the correlation between structure defects and implantation. We observed an extra shoulder peak at the small angle side of the GaN[0004] diffraction peak. The origin of this shoulder may be attributed to implanted magnesium induced GaN lattice strAlN.
机译：通过150KeV Mg〜+离子注入，研究了GaN薄膜的光学和结构特性。在N_2环境中使用快速热退火（RTA）系统在没有封装层的情况下进行了高达1000℃的植入后退火。我们观察到了注入了Mg的GaN的绿带光致发光。该绿色带的光致发光应与Mg引起的GaN中的缺陷簇聚有关。我们还使用X射线衍射方法研究结构缺陷与注入之间的相关性。我们在GaN [0004]衍射峰的小角度一侧观察到一个额外的肩峰。该肩部的起源可能归因于植入的镁诱导的GaN晶格strAlN。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|1027-1031|共5页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    Gou-Chung Chi; B. J. Pong; C. J. Pan; Y. C. Teng; C. H. Lee;

  • 作者单位

    Department of physics, National Central University, Chung-Li, Taiwan 32054;

    Department of physics, National Central University, Chung-Li, Taiwan 32054;

    Department of physics, National Central University, Chung-Li, Taiwan 32054;

    Department of physics, National Central University, Chung-Li, Taiwan 32054;

    Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan 30043;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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