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Nitride semiconductors
Nitride semiconductors
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1.
DRASTIC CHANGE IN THE GaN FILM QUALITY BY IN-SITU CONTROLLING SURFACE RECONSTRUCTIONS IN GSMBE
机译:
通过原位控制GSMBE中的表面重构来使GaN膜质量发生剧烈变化
作者:
X.Q.SHEN
;
S.TANAKA
;
S.IWAI
;
Y.AOYAGI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
2.
EFFECT OF ATOMIC-HYDROGEN TREATMENT OF (001) GaAs SUBSTRATE AT 'HIGH TEMPERATURES' ON RF PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY OF CUBIC GaN
机译:
(001)GaAs基质在'高温'的原子-氢处理对RF等离子体辅助立方氮化镓分子束表观的影响
作者:
A. YOSHIKAWA
;
H. NAGANO
;
Z.X. QIN
;
Y. SUGURE
;
A.W. JIA
;
M. KOBAYASHI
;
M. SHIMOTOMAI
;
Y. KATO
;
K. TAKAHASHI
会议名称:
《》
|
1997年
3.
BULK GaN CRYSTAL WITH LOW DEFECT DENSITY GROWN BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
氢化物蒸气相表观生长的低缺陷密度的块状GaN晶体
作者:
A. Usui
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
4.
ANALYSIS OF OPTICAL GAlN OF STRAlNED WURTZITE In_xGa_(1-x)N/GaN QUANTUM WELL LASERS
机译:
扭曲纤锌矿In_xGa_(1-x)N / GaN量子阱激光的光学GaIn分析
作者:
T. C. CHONG
;
Y. C. YEO
;
M. F. LI
;
W. J. FAN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
5.
ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISATION OF HOMOJUNCTTON GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODES
机译:
均质氮化镓氮化物发光二极管的电学和光学表征
作者:
G M Laws
;
J Morgan
;
G B Ren
;
I Harrison
;
E C Larkins
;
J W Orton
;
S E Hooper
;
T Cheng
;
C T Foxon
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
6.
DC AND MICROWAVE CHARACTERISTICS OF HIGH TRANSCONDUCTANCE ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS ON SIC SUBSTRATES
机译:
Sic衬底上高导率Algan / GAN异质结场效应晶体管的直流和微波特性
作者:
Q. CHEN
;
J.W. YANG
;
M.A. KHAN
;
A.T. PING
;
I. ADESIDA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
7.
LUMINESCENCE PROPERTIES OF As, P, AND Bi AS ISOELECTRONIC TRAPS IN GaN
机译:
GaN中As,P和Bi的AS电子陷阱的发光特性
作者:
W.M. Jadwisienczak
;
H.J. Lozykowski
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
8.
ROLE OF DOPANTS AND IMPURITIES ON PINHOLE FORMATION; DEFECTS FORMED AT InGaN/GaN AND AlGaN/GaN QUANTUM WELLS
机译:
掺杂剂的作用和不纯物的形成; InGaN / GaN和AlGaN / GaN量子阱中形成的缺陷
作者:
Z. LILIENTAL-WEBER
;
S. RUVIMOV
;
W. SWIDER
;
Y. KIM
;
J. WASHBURN
;
S. NAKAMURA
;
R.S. KERN
;
Y. CHEN
;
J.W. YANG
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
9.
NEAR BAND GAP PHOTOLUMINESCENCE BROADENING IN n-GAN FILMS
机译:
n-gan膜中的近禁带光致发光
作者:
E. ILIOPOULOS
;
D. DOPPALAPUDI
;
H.M. NG
;
T.D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
10.
Homoepitaxial Growth of GaN Using Seeded Supersonic Molecular Beams
机译:
用种子超音速分子束同质外延生长GaN
作者:
E. Chen
;
S. Zhang
;
A. Michel
;
R.F. Davis
;
H.H. Lamb
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
11.
LOW TEMPERATURE GaN GROWTH ON NITRIDATED SAPPHIRE USING REMOTE PLASMA ENHANCED ULTRAHIGH VACUUM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
远程等离子体增强超高真空化学气相沉积法在氮化蓝宝石上低温生长GaN
作者:
DONG-JUN KIM
;
KYOUNG-KOOK KIM
;
JONG-SIK PAEK
;
MIN-SU YI
;
DO-YOUNG NOH
;
HYO-GUN KIM
;
SEONG-JU PARK
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
12.
PULSED OPERATION OF CLEAVED-FACET InGaN LASER DIODES
机译:
切割面InGaN激光二极管的脉冲操作
作者:
R.K. Sink
;
A.C. Abare
;
P. Kozodoy
;
M.P. Mack
;
S. Keller
;
L.A. Coldren
;
S.P. DenBaars
;
J.E. Bowers
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
13.
DILUENT GAS EFFECTS ON PROPERTIES OF AlN AND GaN THIN FILMS GROWN BY METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY ON α(6H)-SiC SUBSTRATES
机译:
稀释气体对α(6H)-SiC基体上金属有机相外延生长AlN和GaN薄膜的性能的影响
作者:
Andrew Hanser
;
Colin Wolden
;
William Perry
;
Tsvetanka Zheleva
;
Eric Carlson
;
Philip Hartlieb
;
Robert F. Davis
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
14.
MULTIWAFER MOVPE OF III-NITRIDE FILMS FOR LED AND LASER APPLICATIONS
机译:
用于LED和激光应用的III型氮化物薄膜的多晶片移动
作者:
R. BECCARD
;
O. SCHOEN
;
B. SCHINELLER
;
D. SCHMITZ
;
M. HEUKEN
;
H. JUERGENSEN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
15.
FINE STRUCTURE AND MAGNETOOPTICS OF EXCITONIC LEVELS IN WURTZITE GaN
机译:
纤锌矿型GaN激发态的精细结构和磁光学性质。
作者:
L. ECKEY
;
A. HOFFMANN
;
P. THURIAN
;
I. BROSER
;
B. K. MEYER
;
K. HIRAMATSU
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
16.
LOCATION OF RESIDUAL DONORS IN GaN EPITAXIAL LAYERS
机译:
GaN外延层中残余供体的位置
作者:
E.R. GLASER
;
T.A. KENNEDY
;
A.E. WICKENDEN
;
D.D. KOLESKE
;
W.G. PERRY
;
R.F. DAVIS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
17.
CHARACTERIZATION OF Si-DOPED GaN ON (00.1) SAPPHIRE GROWN BY MOCVD
机译:
通过MOCVD表征Si掺杂GaN on(00.1)蓝宝石上的生长
作者:
CHANG SOO KIM
;
DONG-KUN LEE
;
CHEUL-RO LEE
;
SAM KYU NOH
;
IN-HWAN LEE
;
IN-HO BAE
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
18.
ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE LATERAL EPITAXY OF LOW DEFECT DENSITY GaN LAYERS
机译:
低缺陷密度GaN层的有机气相相表位
作者:
O.H. Nam
;
T.S. Zheleva
;
M.D. Bremser
;
D.B. Thomson
;
R.F. Davis
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
19.
MBE Growth of GaN on NdGaO_3(101)
机译:
在NdGaO_3上进行GaN的MBE生长(101)
作者:
C. Fechtmann
;
V. Kirchner
;
S. Einfeldt
;
H. Ileinke
;
D. Hommel
;
T. Lukasiewicz
;
Z. Luczynski
;
I. Baranowski
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
20.
InGaN QUANTUM DOTS FABRICATED ON AlGaN SURFACES -GROWTH MECHANISM AND OPTICAL PROPERTIES
机译:
AlGaN表面上的InGaN量子点-生长机理和光学性质
作者:
H. HIRAYAMA
;
S. TANAKA
;
P. RAMVALL
;
Y. AOYAGI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
21.
LATTICE LOCATION AND LUMINESCENCE BEHAVIOR OF RARE EARTH ELEMENTS IMPLANTED IN GaN
机译:
注入GaN中稀土元素的晶格位置和发光行为。
作者:
M. DALMER
;
M. RESTLE
;
A. STOETZLER
;
U. VETTER
;
H. HOFSAESS
;
M.D. BREMSER
;
C. RONNING
;
R.F. DAVIS
;
ISOLDE Collaboration
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
22.
Comparative Analysis of Strain and Stress in MBE and MOCVD grown GaN thin films on sapphire
机译:
蓝宝石上MBE和MOCVD生长的GaN薄膜的应变和应力比较分析
作者:
Joachim Krueger
;
Sudhir G.S.
;
Dorina Corlatan
;
Yihwan Kim
;
Ralf Klockenbrink
;
Sergei Rouvimov
;
Zuzanna Liliental-Weber
;
Christian Kisielowski
;
Michael Rubin
;
Eicke R. Weber
;
Brian McDermott
;
R.Pittman
;
Edward R.Gertner
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
23.
THE EFFECT OF LOW TEMPERATURE GaAs NUCLEATION ON THE GROWTH OF GaN ON SILICON (001) DURING MOVPE PROCESS
机译:
运动过程中低温GaAs形核对GaN(Si)(001)上GaN生长的影响
作者:
L.X. Zheng
;
J.W. Liang
;
H.Yang
;
J.B. Li
;
Y.T. Wang
;
D.P. Xu
;
X.F. Li
;
L.H. Duan
;
X.W. Hu
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
24.
DISLOCATION DISTRIBUTION AND SUBGRAIN STRUCTURE OF GaN FILMS DEPOSITED ON SAPPHIRE BY HVPE AND MOVPE
机译:
HVPE和MOVPE沉积在蓝宝石上的GaN薄膜的位错分布和亚晶结构
作者:
K.A. DUNN
;
S.E. BABCOCK
;
R. VAUDO
;
V. PHANSE
;
J. REDWING
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
25.
EFFECT OF NITRIDATION AND BUFFER IN GaN FILMS GROWN ON A-PLANE (11-20) SAPPHIRE
机译:
GaN薄膜中氮化和缓冲对A平面(11-20)蓝宝石的影响
作者:
D. DOPPALAPUDI
;
E. ILIOPOULOS
;
S.N. BASU
;
T.D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
26.
DISLOCATIONS IN GaN/SAPPHIRE: THEIR DISTRIBUTION AND EFFECT ON STRESS AND OPTICAL PROPERTIES
机译:
GaN /蓝宝石中的位错:它们的分布及其对应力和光学性质的影响
作者:
S. C. JAIN
;
K. PINARDF
;
H. E. MAES
;
R VAN OVERSTRAETEN
;
M. WILLANDER
;
A. ATKINSON
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
27.
NEW METHOD OF COMPUTING BAND OFFSETS AND ITS APPLICATION TO AlGaN/GaN HETEROSTRUCTURES
机译:
计算带隙的新方法及其在AlGaN / GaN异质结构中的应用
作者:
Richard T. Webster
;
A. F. M. Anwar
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
28.
DEEP TRAP CHARACTERIZATION IN GaN USING THERMAL AND OPTICAL ADMITTANCE SPECTROSCOPY
机译:
利用热和光导谱法对GaN中的深陷阱进行表征
作者:
A. KRTSCHIL
;
H. WITTE
;
M. LISKER
;
J. CHRISTEN
;
U. BIRKLE
;
S. EINFELDT
;
D. HOMMEL
;
M. TOPF
;
B. K. MEYER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
29.
EFFECTS OF PIEZOELECTRIC FIELDS IN GaInN/GaN AND GaN/AlGaN HETEROSTRUCTURES AND QUANTUM WELLS
机译:
GaInN / GaN和GaN / AlGaN异质结构和量子阱中的压电场效应
作者:
JIN SEO IM
;
H. KOLLMER
;
J. OFF
;
A. SOHMER
;
F. SCHOLZ
;
A. HANGLEITER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
30.
EFFECT OF MG, ZN, SI, AND O ON THE LATTICE CONSTANT OF GALLIUM NITRIDE THIN FILMS
机译:
MG,ZN,SI和O对氮化镓薄膜晶格常数的影响
作者:
G. S. Sudhir
;
Y. Peyrot
;
J. Krueger
;
Y. Kim
;
R. Klockenbrink
;
C. Kisielowski
;
M. D. Rubin
;
E. R. Weber
;
W. Kriegseis
;
B. K. Meyer
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
31.
Single Crystal Gallium Nitride on Silicon Using SiC as an Intermediate Layer
机译:
使用SiC作为中间层的硅单晶氮化镓
作者:
S.A. USTIN
;
W. HO
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
32.
A KINETIC MODEL FOR GaN GROWTH
机译:
GaN生长的动力学模型
作者:
D.D. KOLESKE
;
A.E. WICKENDEN
;
R.L. HENRY
;
W.J. DESISTO
;
R.J. GORMAN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
33.
A TEM STUDY OF THE MICROSTRUCTURAL EVOLUTION OF MBE-GROWN GaN
机译:
MBE生长GaN的微观结构演变的TEM研究
作者:
David M. Tricker
;
Paul D. Brown
;
Graeme Martin
;
J. Lu
;
D. I. Westwood
;
P. Hill
;
L. Haworth
;
J. E. Macdonald
;
T. S. Cheng
;
C. T. Foxon
;
Colin J. Humphreys
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
34.
THE EFFECT OF HYDROGEN CARRIER GAS ON THE MORPHOLOGICAL EVOLUTION AND MATERIAL PROPERTIES OF GaN ON SAPPHIRE
机译:
氢气中载气对蓝宝石上氮化镓的形貌演化和材料性能的影响
作者:
T.B. Ng
;
J. Han
;
R.M. Biefeld
;
J.C. Zolper
;
M.H. Crawford
;
D.M. Follstaedt
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
35.
PHOTOQUENCHING OF PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN N-TYPE GaN
机译:
N型GaN的持久光导率的光猝灭。
作者:
Michele T. Hirsch
;
O. Seifert
;
O. Kirfel
;
J. Parisi
;
J. A. Wolk
;
W. Walukiewicz
;
E. E. Haller
;
O. Ambacher
;
M. Stutzmann
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
36.
NONDESTRUCTIVE, ROOM TEMPERATURE DETERMINATION OF THE NATURE OF THE BAND-BENDING (CARRIER TYPE) IN GROUP Ⅲ NITRIDES USING CONTACTLESS ELECTROREFLECTANCE AND SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
机译:
电导率和表面光致电压光谱法无损测定室温下Ⅲ族氮化物的弯曲性质(载体类型)
作者:
WOJCIECH KRYSTEK
;
FRED H. POLLAK
;
Z.C. FENGq
;
M. SCHURMAN
;
R.A. STALL
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
37.
SELECTIVE AREA ETCHING OF GaN AND AlGaN BY THERMALLY CHEMICAL REACTION IN HYDROGEN AMBIENT
机译:
氢环境中热化学反应对GaN和AlGaN的选择性区域刻蚀
作者:
K. Hiramatsu
;
H. Matsushima
;
H. Hanai
;
N. Sawaki
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
38.
Scanning tunneling microscopy observation of surface reconstruction of GaN on sapphire and 6H-SiC
机译:
蓝宝石和6H-SiC表面GaN表面重建的扫描隧道显微镜观察
作者:
A.R. Smith
;
V. Ramachandran
;
R.M. Feenstra
;
D.W. Greve
;
J. Neugebauer
;
J.E. Northrup
;
M. Shin
;
M. Skowronski
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
39.
BREAKDOWN BEHAVIOR OF AlGaN MSM UV PHOTODETECTORS
机译:
AlGaN MSM紫外光检测器的击穿性能
作者:
S. LIANG
;
Y. LIU
;
Y. LU
;
M. SCHURMAN
;
C.A. TRAN
;
I. FERGUSON
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
40.
DEPTH-RESOLVED AND EXCITATION POWER DEPENDENT CATHODO-LUMINESCENCE OF MBE GROWN CUBIC GAN EPILAYERS
机译:
MBE长方体GAN基板的深度分辨和激发功率相关的阴极发光
作者:
D.J. AS
;
C. WANG
;
B. SCHOETTKER
;
D. SCHIKORA
;
K. LISCHKA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
41.
EXPERIMENTAL STUDY OF SPUTTER DEPOSITED CONTACTS TO GALLIUM NITRIDE
机译:
氮化镓中溅射沉积物的实验研究
作者:
E.C. PIQUETTE
;
Z. Z. BANDIC
;
T. C. MCGILL
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
42.
AlN/GaN AND AlGaN/GaN HETEROSTRUCTURES GROWN BY HVPE ON SiC SUBSTRATES
机译:
HVPE在SiC衬底上生长的AlN / GaN和AlGaN / GaN异质结构
作者:
Yu.V. MELNIK
;
A.E. NIKOLAEV
;
S.I. STEPANOV
;
A.S. ZUBRILOV
;
I.P. NIKITINA
;
K.V. VASSILEVSKI
;
D.V. TSVETKOV
;
A.I. BABANIN
;
Yu.G. MUSIKHIN
;
V.V. TRETYAKOV
;
V.A. DMITRIEV
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
43.
PHASE SEPARATION AND ATOMIC ORDERING IN AlGaInN ALLOYS
机译:
AlGaInN合金的相分离和原子有序化
作者:
T.D. MOUSTAKAS
;
R. SINGH
;
D. KORAKAKIS
;
D. DOPPALAPUDI
;
H.M. NG
;
A. SAMPATH
;
E. BLIOPOULOS
;
M. MISRA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
44.
Photoluminescence of Wet- and Dry-Etched Gallium Nitride
机译:
湿蚀刻和干蚀刻氮化镓的光致发光
作者:
E.E. Reuter
;
C.Youtsey
;
I. Adesida
;
S.G. Bishop
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
45.
FABRICATION AND OPTICAL PUMPING OF LASER CAVITIES MADE BY CLEAVING AND WET CHEMICAL ETCHING
机译:
激光切割和湿法化学蚀刻制成的激光腔的制造和光学泵浦
作者:
D. STOCKER
;
E. F. SCHUBERT
;
W. GRIESHABER
;
J. M. REDWING
;
K. S. BOUTROS
;
J. S. FLYNN
;
R. P. VAUDO
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
46.
AMORPHOUS DOMAINS IN GaN LAYERS GROWN ON 6H-SiC BY MBE
机译:
MBE在6H-SiC上生长的GaN层中的非晶域
作者:
P. VERMAUT
;
V. POTIN
;
P. RUTERANA
;
A. HAIRIE
;
G. NOUET
;
A. SALVADOR
;
H. MORKOC
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
47.
LOW-ANGLE AND HIGH-ANGLE GRAIN BOUNDARIES IN AlN/GaN LAYERS GROWN ON (0001) SAPPHIRE BY MBE
机译:
MBE在(0001)蓝宝石上生长的AlN / GaN层中的低角度和高角度晶界
作者:
V. POTIN
;
P. RUTERANA
;
A. HAIRIE
;
G. NOUET
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
48.
MICROSTRUCTURAL EVALUATION OF ZnO THIN FILMS DEPOSITED BY MOCVD
机译:
MOCVD沉积ZnO薄膜的微观结构评价。
作者:
C.R. Gorla
;
S. Liang
;
N. Emanetoglu
;
W.E. Mayo
;
Y. Lu
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
49.
EVIDENCE OF POTENTIAL FLUCTUATIONS IN MODULATION DOPED GaN/AlGaN HETEROSTRUCTURES
机译:
调制掺杂GaN / AlGaN异质结构中潜在波动的证据
作者:
A.V. BUYANOV
;
J. SANDBERG
;
J.P. BERGMAN
;
B.E. SERNELIUS
;
P-O HOLTZ
;
B. MONEMAR
;
H. AMANO
;
I. AKASAKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
50.
GaN ROOM TEMPERATURE EXCITON SPECTRA BY PHOTOVOLTAIC MEASUREMENT
机译:
光伏测量的GaN室温温度激子谱
作者:
W. Liu
;
M.F. Li
;
S.J. Chua
;
Y.H. Zhang
;
K. Uchida
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
51.
INVESTIGATION OF NUCLEATION AND INITIAL STAGE OF GaN GROWTH BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY AND X-RAY DIFFRACTION
机译:
用原子力显微镜和X射线衍射研究GaN生长的成核和初始阶段
作者:
P.W. YIP
;
S.-Q. WANG
;
A. J. DREHMAN
;
L. D. ZHU
;
P. E. NORRIS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
52.
DIRECT OBSERVATIONS OF ATOMIC STRUCTURES OF DEFECTS IN GAN BY HIGH RESOLUTION Z-CONTRAST STEM
机译:
高分辨率Z对比杆直接观察GAN中缺陷的原子结构。
作者:
Y. Xin
;
S.J. Pennycook
;
N.D. Browning
;
P. D. Nellist
;
S. Sivananthan
;
B. Beaumont
;
J- P Faurie
;
P. Gibart
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
53.
IN-SITU OBSERVATION OF ALN FORMATION DURING NITRIDATION OF SAPPHIRE BY ULTRAHIGH VACUUM TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
机译:
超高压真空透射电子显微镜原位观察蓝宝石氮化过程中AlN的形成
作者:
M. YEADON
;
M.T. MARSHALL
;
F. HAMDANI
;
S. PEKIN
;
H. MORKOC
;
J.M. GIBSON
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
54.
VACUUM PRESSURE MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ALN FILMS ON MGO(100), SAPPHIRE, AND SI
机译:
MGO(100),蓝宝石和SI上的真空压力MOCVD生长和ALN膜的表征
作者:
A. D. Serra
;
N. P. Magtoto
;
D. C. Ingram
;
H. H. Richardson
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
55.
SUBLIMATION SANDWICH GROWTH OF FREE STANDING GaN CRYSTALS
机译:
游离GaN晶体的增生夹层生长。
作者:
Yu. A. VODAKOV
;
E. N. MOKHOV
;
M. G. RAMM
;
M. S. RAMM
;
A. D. ROENKOV
;
A. G. OSTROUMOV
;
A. A. WOLFSON
;
S. Yu. KARPOV
;
Yu. N. MAKAROV
;
H. JUERGENSEN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
56.
DEPOSITION SEQUENCES FOR ATOMIC LAYER GROWTH OF AIN THIN FILMS ON Si(100) USING DIMETHYLETHYLAMINE ALANE AND AMMONIA
机译:
二甲基乙酰胺烷和氨在Si(100)上形成薄膜的原子层生长顺序
作者:
JASON S. KUO
;
J. W. ROGERS JR.
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
57.
ISOELECTRONIC TRAP LIKE LUMINESCENCE CENTERS OF InGaN
机译:
InGaN的等电子陷阱发光中心
作者:
H. KANIE
;
H. KOAMI
;
T. KAWANO
;
T. TOTSUKA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
58.
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE FUNDAMENTAL BAND GAP IN HEXAGONAL GaN
机译:
六角型GaN基本带隙的温度依赖性
作者:
H. HERR
;
V. ALEX
;
J. WEBER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
59.
LUMINESCENCE OF A NEW MATERIAL: GaN GROWN ON NdGaO_3
机译:
一种新材料的发光:在NdGaO_3上生长的GaN
作者:
K. P. Korona
;
K. Pakula
;
A. Wysmolek
;
J. M. Baranowski
;
J. P. Bergman
;
B. Monemar
;
T. Lukasiewicz
;
Z. Luczynski
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
60.
BAND OFFSETS IN GaN/AlN AND AlN/SiC HETEROJUNCTIONS
机译:
GaN / AlN和AlN / SiC异质结中的能带偏移
作者:
NADIA BINGGELI
;
PHILIPPE FERRARA
;
ALFONSO BALDERESCHI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
61.
EFFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE VALENCE BAND SPLITTINGS AND VALENCE BAND OFFSETS IN GaN AND AlN FILMS
机译:
衬底取向对GaN和AlN薄膜中价带分裂和价带偏移的影响
作者:
J. A. MAJEWSKI
;
M. STAEDELE
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
62.
VALENCE BAND PARAMETERS FOR WURTZITE GaN and InN
机译:
伍尔兹GaN和InN的价带参数
作者:
Y. C. YEO
;
T. C. CHONG
;
M. F. LI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
63.
METAL CONTACTS TO n- Al_xGa_(1-x)N
机译:
与n- Al_xGa_(1-x)N的金属接触
作者:
A. SAMPATH
;
H.M. NG
;
D. KORAKAKIS
;
T.D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
64.
THEORETICAL INVESTIGATION OF EXTENDED DEFECTS IN GROUP-HI NITRIDES
机译:
HI族氮化物的扩展缺陷的理论研究
作者:
A.F. WRIGHT
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
65.
RECENT PROGRESS IN IMPLANTATION AND ANNEALING OF GaN AND AlGaN
机译:
GaN和AlGaN的注入和退火研究进展
作者:
J. C. ZOLPER
;
J. HAN
;
S. B. VAN DEUSEN
;
M. H. CRAWFORD
;
R. M. BIEFELD
;
J. JUN
;
T. SUSKI
;
J. M. BARANOWSKI
;
S. J. PEARTON
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
66.
PHASE SEPARATION IN InGaN/GaN MULTIPLE QUANTUM WELLS
机译:
InGaN / GaN多量子阱中的相分离
作者:
M.D. MCCLUSKEY
;
L.T. ROMANO
;
B.S. KRUSOR
;
D.P. BOUR
;
C. CHUA
;
N.M. JOHNSON
;
KIN MAN YU
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
67.
Electron-Phonon Scattering in GaN/AlN and GaAs/AlAs Quantum Wells
机译:
GaN / AlN和GaAs / AlAs量子阱中的电子声子散射
作者:
T. F. Forbang
;
C. R. McIntyre
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
68.
PHOTOEMISSION STUDY OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF WURTZITE GaN(0001) SURFACES
机译:
伍尔兹GaN(0001)表面电子结构的光致裂研究。
作者:
KEVIN E. SMITH
;
SARNJEET S. DHESI
;
CRISTIAN B. STAGARESCU
;
JAMES DOWNES
;
D. DOPPALAPUDI
;
THEODORE D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
69.
IN-SITU RHEED-TRAXS MONITORING ALLOY COMPOSITION OF THE SURFACE DURING RF-MBE GROWTH OF GaInN AND AlGaN
机译:
GaInN和AlGaN的RF-MBE生长过程中表面的原位Rheed-Traxs监测合金成分
作者:
A. ITO
;
H.SAKAI
;
M.INAGAKI
;
G.NOMURA
;
Y. NAKAMURA
;
T.YASUDA
;
H.AMANO
;
I. AKASAKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
70.
NITRIDE LASER DIODES WITH InGaN BASED MQW STRUCTURES
机译:
具有基于InGaN的MQW结构的氮化物激光二极管
作者:
Lisa Sugiura
;
Johji Nishio
;
Masaaki Onomura
;
Shin-ya Nunoue
;
Kazuhiko Itaya
;
Masayuki Ishikawa
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
71.
HIGH TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE AND PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION SPECTROSCOPY OF Er DOPED GALLIUM NITRIDE
机译:
掺Er的氮化镓的高温光致发光和激发光谱。
作者:
U. Hoemmerich
;
Myo Thaik
;
T. Robinson-Brown
;
J. D. MacKenzie
;
C. R. Abernathy
;
S.J. Pearton
;
R.G. Wilson
;
R. N. Schwartz
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
72.
ELECTRON IRRADIATION INDUCED TRAP IN n-TYPE GaN
机译:
n型GaN中的电子辐照诱导陷阱
作者:
Z-Q. Fang
;
J. W. Hemsky
;
D. C. Look
;
M. P. Mack
;
R. J. Molnar
;
G. D. Via
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
73.
PROPERTIES OF FREE-STANDING GAN BULK CRYSTALS GROWN BY HVPE
机译:
HVPE生长的自蔓延大块状晶体的性质
作者:
YU. MELNIK
;
A. NIKOLAEV
;
I. NIKITINA
;
K. VASSILEVSKI
;
V. DMITRIEV
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
74.
RADIATIVE AND NONRADIATIVE RELAXATION OF EXCITONS IN GaN
机译:
GaN中激子的辐射和非辐射弛豫
作者:
A.GOLDNER
;
L. ECKEY
;
A.HOFFMANN
;
I. BROSER
;
A. ALEMU
;
B.GIL
;
S.RUFFENACH-CLUR
;
R.L.AULOMBARD
;
O.BRIOT
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
75.
HIGH-RESOLUTION X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS OF 'DEVICE- QUALITY' CUBIC GaN GROWN ON (001)GaAs SUBSTRATE PREPARED BY ATOMIC-HYDROGEN TREATMENT AT 'HIGH TEMPERATURES'
机译:
在“高温”下通过原子氢处理制备的(装置)GaAs基质上生长的“器件质量”立方氮化镓的高分辨率X射线衍射分析
作者:
A. YOSHIKAWA
;
Z.X. QIN
;
H. NAGANO
;
Y. SUGURE
;
A.W. JIA
;
M. KOBAYASHI
;
M. SHIMOTOMAI
;
Y. KATO
;
K. TAKAHASHI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
76.
SELECTION, GROWTH, AND CHARACTERIZATION OF GATE INSULATORS ON MOCVD GALLIUM NITRIDE FOR THE USE IN HIGH POWER FIELD EFFECT DEVICES
机译:
MOCVD氮化镓上栅极绝缘子的选择,生长和表征,用于大功率场效应器件
作者:
R.J. Therrien
;
O.H. Nam
;
M.D. Bremser
;
K. Lithicum
;
H. Nimii
;
E.P. Carlson
;
G. Lucovsky
;
R.F. Davis
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
77.
MICROSTRUCTURE OF InGaN QUANTUM WELLS
机译:
InGaN量子阱的微观结构
作者:
F. A. PONCE
;
D. CHERNS
;
W. GOETZ
;
R. S. KERN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
78.
THE CORE STRUCTURE OF PURE EDGE THREADING DISLOCATIONS IN GaN LAYERS GROWN ON 0001 SiC OR SAPPHIRE BY MBE
机译:
MBE在0001 SiC或蓝宝石上生长的GaN层中纯边缘螺纹错位的核心结构
作者:
P. RUTERANA
;
V. POTIN
;
G. NOUET
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
79.
COMPARATIVE STUDY OF TYPICAL DEFECTS IN HI-NITRIDE THIN FILMS AND THEIR ALLOYS
机译:
氮化物薄膜及其合金中典型缺陷的比较研究
作者:
K. DOVIDENKO
;
S. OKTYABRSKY
;
J. NARAYAN
;
V. JOSHKIN
;
M. RAZEGHI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
80.
NITRIDATION OF SAPPHIRE SUBSTRATE USING REMOTE PLASMA ENHANCED-ULTRAHIGH VACUUM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE
机译:
低温等离子增强超高真空化学气相沉积法对蓝宝石基质的氮化
作者:
JONG-SIK PAEK
;
KYOUNG-KOOK KIM
;
JI-MYON LEE
;
DONG-JUN KIM
;
HYO-GUN KIM
;
SEONG-JU PARK
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
81.
THE EVOLUTION OF NITRIDE SEMICONDUCTORS
机译:
氮化物半导体的演变
作者:
I. AKASAKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
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