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RADIATIVE AND NONRADIATIVE RELAXATION OF EXCITONS IN GaN

机译：GaN中激子的辐射和非辐射弛豫

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摘要

We report on investigations of the excitonic quantum efficiency in GaN epilayers as function of buffer layer thickness, buffer layer material, sample thickness and residual oxygen content. These values are compared to that of GaN bulk material. The quantum efficiency of the free excitons rises with increasing buffer layer thickness, increasing sample thickness and decreasing residual oxygen content. The influence of oxygen on the quantum efficiency is stronger than that of the buffer layer thickness. Additionally, the homoepitaxial growth of GaN shows higher quantum efficiencies than the growth with an A1N buffer layer. In general, the observed quantum efficiencies in GaN epilayers are below 20% indicating the strong impact of nonradiative relaxation and recombination processes in the excitonic range. Only, GaN bulk material shows quantum efficiencies of 25 % for the free A-exciton X_A and of 50 % for the donor-bound exciton complex D~0,X).
机译：我们报告了对GaN外延层的激子量子效率的研究，该研究与缓冲层厚度，缓冲层材料，样品厚度和残余氧含量有关。将这些值与GaN块状材料的值进行比较。游离激子的量子效率随缓冲层厚度的增加，样品厚度的增加和残余氧含量的降低而增加。氧对量子效率的影响比缓冲层厚度的影响强。另外，GaN的同质外延生长显示出比AlNN缓冲层生长更高的量子效率。通常，在GaN外延层中观察到的量子效率低于20％，这表明在激子范围内，非辐射弛豫和复合过程的强烈影响。仅GaN块状材料对自由A激子X_A的量子效率为25％，对施主结合的激子复合物D〜0，X的量子效率为50％。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|637-642|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    A.GOLDNER; L. ECKEY; A.HOFFMANN; I. BROSER; A. ALEMU; B.GIL; S.RUFFENACH-CLUR; R.L.AULOMBARD; O.BRIOT;

  • 作者单位

    Institut fuer Festkoerperphysik, Sekr PN 5-1, Technische Universitaet Berlin, 10623 Berlin;

    Institut fuer Festkoerperphysik, Sekr PN 5-1, Technische Universitaet Berlin, 10623 Berlin;

    Institut fuer Festkoerperphysik, Sekr PN 5-1, Technische Universitaet Berlin, 10623 Berlin;

    Institut fuer Festkoerperphysik, Sekr PN 5-1, Technische Universitaet Berlin, 10623 Berlin;

    Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Case Courrier 074, Universite Montpellier Ⅱ;

    Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Case Courrier 074, Universite Montpellier Ⅱ;

    Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Case Courrier 074, Universite Montpellier Ⅱ;

    Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Case Courrier 074, Universite Montpellier Ⅱ;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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