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EXPERIMENTAL STUDY OF SPUTTER DEPOSITED CONTACTS TO GALLIUM NITRIDE

机译：氮化镓中溅射沉积物的实验研究

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摘要

A variety of metal contacts to n-GaN is investigated, including Al, Au, Ce, Ti, Cr, Mg, Sb, W, and Mo, which were deposited using DC magnetron plasma sputtering onto MBE grown GaN. The contacts were characterized by current-voltage analysis and contact resistances were measured by the circular geometry transmission line method. The effects on contact resistance and Schottky barrier properties by surface sputtering treatments, GaN doping, and post-deposition annealing are reported.
机译：研究了各种与n-GaN的金属接触，包括Al，Au，Ce，Ti，Cr，Mg，Sb，W和Mo，这些金属接触是使用DC磁控等离子体溅射法沉积到MBE生长的GaN上的。通过电流-电压分析对触点进行表征，并通过圆形几何传输线方法测量触点电阻。报道了通过表面溅射处理，GaN掺杂和沉积后退火对接触电阻和肖特基势垒性能的影响。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|1089-1094|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    E.C. PIQUETTE; Z. Z. BANDIC; T. C. MCGILL;

  • 作者单位

    Watson Laboratories of Applied Physics 128-95 California Institute Of Technology, Pasadena, California 91125;

    Watson Laboratories of Applied Physics 128-95 California Institute Of Technology, Pasadena, California 91125;

    Watson Laboratories of Applied Physics 128-95 California Institute Of Technology, Pasadena, California 91125;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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