溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

潘孝军; 张振兴; 贾璐; 李晖; 谢二庆

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溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

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利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜.X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构;傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga-N键的伸缩振动;光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱;测量薄膜样品的紫外-可见谱,并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV,这与光致发光谱得到的结果是一致的.

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来源
《无机材料学报》 |2007年第4期|725-728|共4页
作者
潘孝军; 张振兴; 贾璐; 李晖; 谢二庆;
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作者单位

兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000;

兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;薄膜物理学;
关键词
非晶氮化镓; 溅射制备; 光学性能;

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