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【24h】

DEPOSITION SEQUENCES FOR ATOMIC LAYER GROWTH OF AIN THIN FILMS ON Si(100) USING DIMETHYLETHYLAMINE ALANE AND AMMONIA

机译：二甲基乙酰胺烷和氨在Si（100）上形成薄膜的原子层生长顺序

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摘要

Recent studies have demonstrated that dimethylethylamine alane (DMEAA) is a viable group III precursor for depositing high quality aluminum nitride thin films during atomic layer growth with ammonia as the group V source. However, a practical consideration that is questioned but seldom investigated is whether one should initiate the growth with the group III or the group V source. Clearly DMEAA interacts differently with silicon than does ammonia; hence, reversing the deposition sequence will lead to different interfacial composition. Earlier studies involving TMAA and ammonia indicate that direct interaction of group III precursor with the surface may lead to higher carbon contamination. In this work, adsorption of DMEAA on Si(100) and on ammonia-covered Si(100) are characterized with Temperature-Programmed Desorption (TPD), Secondary-Ion Mass Spectrometry (SIMS), and Temperature-Programmed Secondary-Ion Mass Spectrometry (TPSIMS). Preliminary results indicate that DMEAA adsorbs molecularly on both Si(100) and ammonia-covered Si(100), but to a much smaller coverage on the latter surface. Results from reversing the adsorption sequence, i.e. ammonia first then DMEAA, will be compared as a possibility for interfacial quality control.
机译：最近的研究表明，二甲基乙胺铝烷（DMEAA）是可行的III族前体，用于在以氨作为V族源的原子层生长过程中沉积高质量的氮化铝薄膜。但是，一个值得考虑但很少研究的实际考虑是应该利用III组还是V组源来启动生长。显然，DMEAA与硅的相互作用不同于氨。因此，颠倒沉积顺序将导致不同的界面组成。涉及TMAA和氨的早期研究表明，III类前体与表面的直接相互作用可能导致更高的碳污染。在这项工作中，DMEAA在Si（100）和氨覆盖的Si（100）上的吸附通过程序升温脱附（TPD），二次离子质谱（SIMS）和程序升温二次离子质谱来表征（TPSIMS）。初步结果表明，DMEAA分子吸附在Si（100）和氨覆盖的Si（100）上，但在后者表面的覆盖范围小得多。将颠倒吸附顺序（即先是氨然后是DMEAA）的结果进行比较，以进行界面质量控制。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|33-38|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    JASON S. KUO; J. W. ROGERS JR.;

  • 作者单位

    Department of Chemical Engineering, Box 351750, University of Washington, Seattle, WA 98195;

    Department of Chemical Engineering, Box 351750, University of Washington, Seattle, WA 98195;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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