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【24h】

PHASE SEPARATION IN InGaN/GaN MULTIPLE QUANTUM WELLS

机译：InGaN / GaN多量子阱中的相分离

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摘要

Evidence is presented for phase separation in In_(0.27)Ga_(0.73)N/GaN multiple quantum wells (MQW's). After annealing for 4 min at a temperature of 1100 ℃, the absorption threshold at 2.95 eV is replaced by a broad peak at 2.65 eV. This peak is attributed to the formation of In-rich InGaN phases in the active region. X-ray diffraction measurements show a shift in the diffraction peaks toward GaN. consistent with the formation of an In-poor phase.
机译：提出了在In_（0.27）Ga_（0.73）N / GaN多量子阱（MQW）中进行相分离的证据。在1100℃的温度下退火4分钟后，2.95 eV处的吸收阈值被2.65 eV处的宽峰取代。该峰归因于在有源区中形成富In的InGaN相。 X射线衍射测量显示衍射峰向GaN移动。与贫困阶段的形成相一致。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|985-989|共5页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    M.D. MCCLUSKEY; L.T. ROMANO; B.S. KRUSOR; D.P. BOUR; C. CHUA; N.M. JOHNSON; KIN MAN YU;

  • 作者单位

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Rd., Palo Alto, CA 94304;

    Lawrence Berkeley National Laboratory, MS 2-200, 1 Cyclotron Rd., Berkeley, CA 94720;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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