InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

陈志忠; 徐科; 秦志新; 于彤军; 童玉珍; 宋金德; 林亮; 刘鹏; 齐胜利; 张国义

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.

著录项

来源
《半导体学报》 |2007年第7期|1121-1124|共4页
作者
陈志忠; 徐科; 秦志新; 于彤军; 童玉珍; 宋金德; 林亮; 刘鹏; 齐胜利; 张国义;
展开▼
作者单位

北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;

江苏伯乐达光电科技有限公司;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
氮化镓; 发光二极管; 多量子阱; 透射电子显微镜; 电致发光谱; 阴极荧光谱;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究 [J] . 牛南辉 ,王怀兵 ,刘建平 . 光电子．激光 . 2006,第5期
2. 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究 [J] . 徐耿钊 ,梁琥 ,白永强 . 物理学报 . 2005,第011期
3. 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED [J] . 赵芳 ,张运炎 ,宋晶晶 . 发光学报 . 2013,第001期
4. InGaN/GaN 多量子阱 LED 载流子泄漏与温度关系研究 [J] . 刘诗涛 ,王立 ,伍菲菲 . 发光学报 . 2017,第001期
5. 能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究 [J] . 张连 ,魏学成 ,路坤熠 . 中国科学 . 2015,第006期
6. InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究 [C] . 陈志忠 ,徐科 ,秦志新 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. 阱层生长温度对InGaN/GaN多量子阱基LED光学特性的影响 [A] . 魏烨辉 . 2020

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅