InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响

于彤军; 康香宁; 秦志新; 陈志忠; 杨志坚; 胡晓东; 张国义

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对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.

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来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|20-24|共5页
作者
于彤军; 康香宁; 秦志新; 陈志忠; 杨志坚; 胡晓东; 张国义;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN304.2+3;
关键词
光致发光谱; InGaN; AlGaN; 多量子阱; 应变;

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