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THE EVOLUTION OF NITRIDE SEMICONDUCTORS

机译：氮化物半导体的演变

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摘要

The great scientific and commercial success of the group-Ill nitrides in recent years is the result of persistent fundamental research over a time span of three decades. In the late 60's and in the early 70's the very heart of gallium nitride research was located in J.I. Pankove's laboratory at RCA. There the first single crystalline GaN was grown by Maruska and Tietjen and the very first GaN light emitting diodes were produced by Pankove in September 1971, 26 years ago. Since then the community of nitride research has come a long and troublesome way, but it has succeeded. This 1997 Fall Meeting Symposium on Nitride Semiconductors of the Materials Research Society is dedicated to Professor J.I. Pankove for his outstanding and groundbreaking contributions in the early development of group-Ill nitride research. This paper reports a historical summary of the evolution of the field summarizing the landmark contributions that have led to the current status of success.
机译：近年来，III族氮化物在科学和商业上取得了巨大成功，这是经过三十年时间不断进行基础研究的结果。在60年代末和70年代初，氮化镓的研究中心位于J.I. RCA的Pankove实验室。那里是Maruska和Tietjen生长的第一个单晶GaN，26年前的1971年9月，Pankove生产了第一个GaN发光二极管。从那时起，氮化物研究界经历了漫长而麻烦的道路，但成功了。 1997年材料研究学会氮化物半导体秋季会议座谈会是专门为J.I.潘科夫（Pankove）在早期的III族氮化物研究方面做出了杰出的贡献。本文报告了该领域的发展历史，总结了具有里程碑意义的成就，这些成就导致了目前的成功状态。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|3-14|共12页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    I. AKASAKI;

  • 作者单位

    Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468, JAPAN;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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