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Ⅲ族氮化物第三代半导体材料发展现状与趋势

         

摘要

cqvip:以III族氮化物为代表的第三代半导体材料,多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料(InN除外),是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此,被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点,各国均投入大量人力物力进行相关研发。

著录项

  • 来源
    《科技中国》 |2018年第4期|15-18|共4页
  • 作者

    史冬梅; 杨斌; 蔡韩辉;

  • 作者单位

    科技部高技术研究发展中心;

    科技部高技术研究发展中心;

    中国科学院福建物质结构研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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