掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
Symposium on GaN and related alloys
Symposium on GaN and related alloys
召开年:
1998
召开地:
Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Amplification path length dependence studies of stimulated emission from optically pumped InGaN/GaN multiple quantum wells
机译:
光泵浦InGaN / GaN多量子阱中受激发射的放大路径长度相关性研究
作者:
T.J.Schmidt
;
S.Bidnyk
;
Y-H.Cho
;
A.J.Fischer
;
J.J.Song
;
S.Keller
;
U.K.Mishra
;
S.P.DenBaars
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
2.
Base transit time in abrupt GaN/InGaN/GaN and AlGan/gAn/AlGaN HBTs
机译:
GaN / InGaN / GaN和AlGan / gAn / AlGaN HBT中的基跃迁时间
作者:
S-Y.Chiu
;
A.F.M.Anwar
;
S.Wu
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
3.
Behavior of W and WSi(sub)x contact metallization on n- and p-type GaN
机译:
W和WSi(sub)x接触金属在n型和p型GaN上的行为
作者:
X.A.Cao
;
F.Ren
;
J.R.Lothian
;
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
;
J.C.Zolper
;
M.W.Cole
;
A.Zeitouny
;
M.Ezenberg
;
R.J.Shul
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
4.
Carrier Dynamics of abnormal temperature-dependent emission shift in MOCVD-Grown InGaN epilayers and InGaN/GaN quantum wells
机译:
MOCVD生长的InGaN外延层和InGaN / GaN量子阱中异常依赖温度的发射移位的载流子动力学
作者:
Y-H.Cho
;
B.D.Little
;
G.H.Gainer
;
J.J.Song
;
S.Keller
;
U.K.Mishra
;
S.P.DenBaars
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
5.
Characteristic temperature estimation of GaN-Based lasers
机译:
GaN基激光器的特征温度估算
作者:
T.Honda
;
H.Kawanishi
;
T.Sakaguchi
;
F.Koyama
;
K.Iga
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
6.
Characterization of Be-Implanted GaN Annealed at High Temperatures
机译:
高温退火后的Be注入GaN的表征
作者:
C.Ronning
;
K.J.Linthicum
;
E.P.Carison
;
P.J.Hartlieb
;
D.B.Thomson
;
T.Gehrke
;
R.F.Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
7.
Characterization of flicker noise in GaN Based MODFETs at low drain bias
机译:
低漏极偏置下基于GaN的MODFET中闪烁噪声的表征
作者:
W.Y.Ho
;
W.K.Fong
;
C.Surya
;
K.Y.Tong
;
W.Kim
;
A.Botchkarev
;
H.Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
8.
Characterization of Hot-Electron effects on flicker noise in III-V nitride based heterojunctions
机译:
III-V氮化物基异质结中热电子对闪烁噪声的影响
作者:
W.Y.Ho
;
W.K.Fong
;
C.Surya
;
K.Y.Tong
;
L.W.Lu
;
W.K.Ge
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
9.
Characterization of InGaN/GaN-Based Multi-Quantum Well distributed feedback lasers
机译:
InGaN / GaN基多量子阱分布反馈激光器的表征
作者:
D.Hofstetter
;
R.L.Thornton
;
L.T.Romano D.P.Bour
;
M.Kneissl
;
R.M.Donaldson
;
C.Dunnrowicz
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
10.
Comparative growth of AIN on singular and off-axis 6H and 4H-SiC by MOCVD
机译:
MOCVD在单轴和离轴6H和4H-SiC上AIN的比较生长
作者:
S.Wilson
;
C.S.Dickens
;
J.Griffin
;
M.G.Spencer
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
11.
Composition dependence of the bandgop energy of In(sub)xGa(sub)1-xN layers on GaN (x<0.15) grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长的GaN(x <0.15)上In(sub)xGa(sub)1-xN层的带隙能的成分依赖性
作者:
J.Wagner
;
A.Ramakrishnan
;
D.Behr
;
M.Maler
;
N.Herres
;
M.Kunzer
;
H.Obloh
;
K-H.Bachem
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
12.
Computational materials science, an increasingly reliable engineering tool: anomalous nitride bandstructures and device consequences
机译:
计算材料科学,一种越来越可靠的工程工具:异常的氮化物能带结构和器件后果
作者:
A.Sher
;
M.van Schilfgaarde
;
M.A.Berding
;
S.Krishnamurthy
;
A-B.Chen
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
13.
Contact Issues of GaN technology
机译:
GaN技术的联系问题
作者:
D.Qiao
;
L.S.Yu
;
S.S.Lau
;
G.J.Sullivan
;
S.Ruvimov
;
Z.Liliental-Weber
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
14.
Contact resistance of InGaN/GaN light emitting diodes grown on the production model multi-wafer MOVPE reactor
机译:
在生产模型多晶片MOVPE反应器上生长的InGaN / GaN发光二极管的接触电阻
作者:
R.W.Chuang
;
A.Q.Zou
;
H.P.Lee
;
Z.J.Dong
;
F.F.Xiong
;
R.Shih
;
M.Bremser
;
H.Juergensen
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
15.
Control of the polarity and surface morphology of GaN films deposited on c-plane sapphire
机译:
控制在c面蓝宝石上沉积的GaN膜的极性和表面形态
作者:
M.Sumiya
;
Y.Ohnishi
;
M.Tanaka
;
A.Ohtomo
;
M.Kawasaki
;
M.Yoshimoto
;
H.Koinuma
;
K.Ohtsuka
;
S.Fuke
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
16.
Crystal structure and defects in nitrogen-deficient GaN
机译:
氮不足GaN的晶体结构和缺陷
作者:
S.Oktyabrsky
;
K.Dovidenko
;
A.K.Sharma
;
V.Joshkin
;
J.Narayan
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
17.
Cubic GaN Heteroepitaxy on thin-SiC-covered Si(001)
机译:
SiC覆盖的薄Si(001)上的立方GaN异质外延
作者:
Y.Hiroyama
;
M.Tamura
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
18.
Cubic InGaN grown by MOCVD
机译:
MOCVD法生长立方InGaN
作者:
J.B.Li
;
H.Yang
;
L.X.Zheng
;
D.P.Xu
;
Y.T.Wang
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
19.
Damage-free photo-assisted cryogenic etching of GaN as evidenced by reduction of yellow luminescence
机译:
GaN的无损伤光辅助低温蚀刻,可通过减少黄色发光来证明
作者:
Y.T.Hsieh
;
J.M.Hwang
;
H.L.Hwang
;
W.H.Hung
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
20.
Defect complexes and non-equilibrium processes underlying the p-Type doping of GaN
机译:
GaN p型掺杂的缺陷复合物和非平衡过程
作者:
F.A.Reboredo
;
S.T.Pantelides
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
21.
Defect states in SiC/GaN-and SiC/AlGaN/GaN-heterostructures characterized by admittance and photocurrent spectroscopy
机译:
以导纳和光电流谱为特征的SiC / GaN和SiC / AlGaN / GaN异质结构中的缺陷态
作者:
H.Witte
;
A.Krtschil
;
M.Lisker
;
J.Christen
;
F.Scholz
;
J.Off
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
22.
Defects in GaN pyramids grown on Si(111) substrates by selective lateral overgrowth
机译:
通过选择性横向过度生长在Si(111)衬底上生长的GaN金字塔中的缺陷
作者:
Z.Mao
;
X.McKernan
;
C.B.Carter
;
W.Yang
;
S.A.McPherson
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
23.
Disordering of InGaN/GaN superlattices after high-pressure annealing
机译:
高压退火后InGaN / GaN超晶格的无序
作者:
M.D.McCluskey
;
L.T.Romano
;
B.S.Krusor
;
D.Hofstetter
;
D.P.Bour
;
M.Kneissl
;
N.M.Johnson
;
T.Suski
;
J.Jun
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
24.
Domain structure of thick GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy
机译:
氢化物气相外延生长的厚GaN层的畴结构
作者:
T.Paskova
;
E.B.Svedberg
;
L.D.Madwent
;
R.Yakimova
;
I.G.Ivanov
;
A.Henry
;
B.Monemar
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
25.
Doping of AlGaN alloys
机译:
掺杂AlGaN合金
作者:
C.G.Van de Walle
;
C.Stampfl
;
J.Neugebauer
;
M.D.McCluskey
;
N.M.Johnson
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
26.
Dry and wet etching for group III nitrides
机译:
III族氮化物的干法和湿法蚀刻
作者:
I.Adesida
;
C.Youtsey
;
A.T.Ping
;
F.Khan
;
L.T.Romano
;
G.Bulman
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
27.
Effect of buffer layer and 111/V ratio on the surtace morphology of GaN grown by MBE
机译:
缓冲层和111 / V比对MBE生长的GaN表面形貌的影响
作者:
E.C.Piquette
;
P.M.Bridger
;
R.A.Beach
;
T.C.McGill
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
28.
Effect of oxygen lon implantation in gallium nitride
机译:
氧离子注入对氮化镓的影响
作者:
W.Jiang
;
W.J.Weber
;
S.Thevuthasan
;
G.J.Exarhos
;
B.J.Bozlee
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
29.
Effects of surface preparation on epitaxial GaN on 6H-SiC deposited via MOCVD
机译:
表面制备对MOCVD沉积6H-SiC上外延GaN的影响
作者:
Z.Y.XIE
;
C.H.Wei
;
L.Y.Li
;
J.H.Edgar
;
J.Chaudhurt
;
C.Ignatiev
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
30.
Effects of susceptor geometry on GaN growth on Si(111) with a new MOCVD reactor
机译:
新型MOCVD反应器的基座几何形状对Si(111)上GaN生长的影响
作者:
Y.Gao
;
D.A.Gulino
;
R.Higgins
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
31.
electrical and photoelectrical characterization of deep defects in cubic GaN on GaAs
机译:
GaAs上立方GaN深层缺陷的电和光电特性
作者:
M.Lisker
;
A.Krtschil
;
H.Witte
;
J.Christen
;
D.J.As
;
B.Schottker
;
K.Loschka
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
32.
Electrical characterization of defects introduced in n-GaN during high energy proton and he-lon lrradiation
机译:
高能质子和氦辐射过程中n-GaN中引入的缺陷的电特性
作者:
S.A.Goodman
;
F.D.Auret
;
F.K.Koschnick
;
J-M.Spaeth
;
B.Beaumont
;
P.Gibart
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
33.
Electrical characterization of MOVPE-grown p-type GaN: Mg against annealing temperature
机译:
MOVPE生长的p型GaN的电特性:镁对退火温度的影响
作者:
Shizuo Fujita
;
M.Funato
;
D-C.Park
;
Y.Ikenaga
;
Shigeo Fujita
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
34.
Electrical characterization of sputter deposition induced defects in n-GaN
机译:
n-GaN中溅射沉积引起的缺陷的电学表征
作者:
F.D.Auret
;
S.A.Goodman
;
F.K.Koschnick
;
J-M.Spaeth
;
B.Beaumont
;
P.Gibart
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
35.
Electroluminescence properties of InGaN/GaN light emitting diodes with quantum wells
机译:
具有量子阱的InGaN / GaN发光二极管的电致发光特性
作者:
A.E.Yunovich
;
V.E.Kudryashov
;
A.N.Turkin
;
A.N.Kovalev
;
F.I.Manyakhin
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
36.
Electron beam induced impurity electro-migration in unintentionally doped GaN
机译:
电子束在无意掺杂的GaN中引起的杂质电迁移
作者:
M.Toth
;
K.Fleischer
;
M.R.Phillips
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
37.
Electronic structure and optical properties of ZnGeN(sub)2
机译:
ZnGeN(sub)2的电子结构和光学性质
作者:
S.Limpijumnong
;
S.N.Rashkeev
;
W.R.L.Lambrecht
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
38.
Enhanced GaN decomposition at MOVPE pressures
机译:
在MOVPE压力下增强的GaN分解
作者:
D.D.Koleske
;
A.E.Wickenden
;
R.L.Henry
;
M.E.Twigg
;
J.C.Culbertson
;
R.J.Gorman
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
39.
Ensemble monte carlo study of electron transport in bulk indium nitride
机译:
块状氮化铟中电子传输的集成蒙特卡洛研究
作者:
E.Bellotti
;
B.Doshi
;
K.F.Brennan
;
P.P.Ruden
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
40.
Epitaxial growth and structural characterization of single crystalline ZnGeN(sub)2
机译:
ZnGeN(sub)2单晶的外延生长和结构表征
作者:
L.D.Zhu
;
P.H.Maruska
;
P.E.Norris
;
P.W.Yip
;
L.O.Bouthillette
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
41.
Epitaxial lateral overgrowth of GaN on SiC and sapphire substrates
机译:
SiC和蓝宝石衬底上GaN的外延横向过生长
作者:
Z.Yu
;
M.A.L.Johnson
;
J.D.Broun
;
N.A.El-Masry
;
J.F.Muth
;
J.W.Cook
;
Jr.
;
J.F.Schetzina
;
K.W.Haberem
;
H.S.Kong
;
J.A.Edmond
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
42.
Epitaxial lateral overgrowth of GaN with chloride-based growth chemistries in both hydride and metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
氢化物和金属有机气相外延中具有氯化物基生长化学的GaN的外延横向过生长
作者:
R.Zhang
;
L.Zhang
;
D.M.Hansen
;
M.P.Boleslawski
;
K.L.Chen
;
D.Q.Lu
;
B.Shen
;
Y.D.Zheng
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
43.
Eptiaxial growth off lll-Nitride layers on aluminum nitride substrates
机译:
在氮化铝衬底上外延生长iii-氮化物层
作者:
L.J.Schowalter
;
Y.Shusterman
;
R.Wang
;
I.Bhat
;
G.Arunmozhi
;
G.A.Slack
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
44.
Etch processing of III-V nitrides
机译:
III-V族氮化物的蚀刻处理
作者:
C.R.Eddy
;
Jr.
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
45.
Extrinsic performance limitations of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors
机译:
AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的外部性能限制
作者:
P.P.Ruden
;
J.D.Albrecht
;
A.Sutandi
;
S.C.Binari
;
K.Ikossi-Anastasiou
;
M.G.Ancona
;
R.L.Henry
;
D.D.Koleske
;
A.E.Wickenden
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
46.
Fabrication of self-assembling AlGaN quantum dot on AlGaN surfaces using anti-surfactant
机译:
使用抗表面活性剂在AlGaN表面制备自组装AlGaN量子点
作者:
H.Hirayama
;
Y.Aoyagi
;
S.Tanaka
会议名称:
《》
|
1999年
47.
Fabrication of smooth GaN-based laser facets
机译:
光滑的GaN基激光刻面的制造
作者:
D.A.Stocker
;
E.F.Schubert
;
K.S.Boutros
;
J.M.Redwing
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
48.
Fast lateral epitaxial overgrowth of gallium nitride by metalorganic chemical vapor deposition using a two-step process
机译:
使用两步工艺通过金属有机化学气相沉积快速实现氮化镓的横向外延过生长
作者:
H.Marchand
;
J.P.Ibbetson
;
P.T.Fini
;
X.H.Wu
;
S.Keller
;
S.P.Denbaars
;
J.S.Speck
;
U.K.Mishra
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
49.
Focused ion beam micrimachining of GaN Photonic devices
机译:
GaN光子器件的聚焦离子束微加工
作者:
I.Chyr
;
A.J.Stecki
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
50.
Focused lon beam etching of GaN
机译:
聚焦lon离子刻蚀GaN
作者:
C.Flierl
;
I.H.White
;
M.Kuball
;
M.Kuball
;
P.J.Heard
;
G.C.Allen
;
C.Marinelli
;
J.M.Rorison
;
R.V.Penty
;
Y.Chen
;
S.Y.Wang
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
51.
Gallium nitride growth using diethylgallium chloride as an alternative gallium source
机译:
使用氯化二乙基镓作为替代镓源的氮化镓生长
作者:
L.Zhang
;
R.Zhang
;
M.P.Boleslawski
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
52.
GaN CVD reactions: hydrogen and ammonia decomposition and the desorption of gallium
机译:
GaN CVD反应:氢和氨分解以及镓的解吸
作者:
M.E.Bartram
;
J.R.Creighton
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
53.
GaN growth by remote plasma MOCVD: chemistry and kinetics by real time ellipsometry
机译:
通过远程等离子体MOCVD进行GaN的生长:实时椭偏仪的化学和动力学
作者:
M.Losurdo
;
P.Capezzuto
;
G.Bruno
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
54.
GaN homoepitaxy for device applications
机译:
GaN同质外延用于器件应用
作者:
M.Kamp
;
C.Kirchner
;
V.Schwegler
;
A.Pelzmann
;
K.J.Ebeling
;
M.Leszczynski
;
I.Grzegory
;
T.Suski
;
S.Porowski
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
55.
GaN nanotubes
机译:
这首歌无尽
作者:
S.M.Lee
;
Y.H.Lee
;
Y.G.Hwang
;
J.Elsner
;
D.Porezag
;
T.Frauenheim
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
56.
GaN p-n structures fabricated by Mg lon implantation
机译:
镁离子注入制备的GaN p-n结构
作者:
E.V.Kalinina
;
V.A.Solovev
;
A.S.Zubrilov
;
V.A.Dmitriev
;
A.P.Kovarsky
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
57.
GaN: from selective area to epitaxial lateral overgrowth
机译:
GaN:从选择区域到外延横向过生长
作者:
X.Li
;
S.O.Bishop
;
J.J.Coleman
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
58.
Generation recombination noise in GaN photoconduction detectors
机译:
GaN光电导检测器中的产生复合噪声
作者:
M.Misra
;
D.Doppalapudi
;
A.V.Sampath
;
T.D.Moustakas
;
P.H.McDonald
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
59.
Group-III Nitride Etch selectivity in BCl(sub)3/Cl(sub)2 ICP plasmas
机译:
BCl(sub)3 / Cl(sub)2 ICP等离子体中的III类氮化物蚀刻选择性
作者:
R.J.Shul
;
L.Zhang
;
C.G.Willison
;
J.Han
;
S.J.Pearton
;
J.Hong
;
C.R.Abermathy
;
L.F.Lester
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
60.
Growth and characterization of B(sub)xGa(sub)1-xN on 6h-SiC (0001) by MOVPE
机译:
MOVPE在6h-SiC(0001)上生长和表征B(sub)xGa(sub)1-xN
作者:
C.H.Wei
;
Z.Y.Xie
;
J.H.Edgar
;
K.C.Zeng
;
J.Y.Lin
;
M.X.Jiang
;
C.Ignatiev
;
J.Chaudhuri
;
D.N.Braski
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
61.
Growth of oriented thick films of gallium nitride from the melt
机译:
从熔体中生长取向的氮化镓厚膜
作者:
J.S.Dyck
;
K.Kash
;
M.T.Grossner
;
C.C.Hayman
;
A.Argoitia
;
N.Yang
;
M-H.Hong
;
M.E.Kordesch
;
J.C.Angus
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
62.
High-quality hydrothermal ZnO crystals
机译:
高质量水热ZnO晶体
作者:
M.Suscavage
;
M.Harris
;
D.Bliss
;
P.Yip
;
S-Q.Wang
;
D.Schwall
;
L.Bouthillette
;
J.Bailey
;
M.Callahan
;
D.C.Look
;
D.C.Reynolds
;
R.L.Jones
;
C.W.Litton
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
63.
Homoepitaxial and Heteroepitaxial gallium nitride grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的同质外延和异质外延氮化镓
作者:
C.T.Foxon
;
T.S.Cheng
;
D.Korakakis
;
S.V.Novikov
;
R.P.Campion
;
I.Grzegory
;
S.Porowski
;
M.Albrecht
;
H.P.Strunk
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
64.
Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN via Metalorganic Vapro-phase epitaxy (MOVPE)
机译:
氢和氮环境对金属有机气相外延(MOVPE)对GraN外延横向过度生长(ELO)的影响
作者:
K.Tadatomo
;
Y.Ohuchi
;
H.Okagawa
;
H.Itoh
;
H.Miyake
;
K.Hiramatsu
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
65.
Improvement of crystalline quality of group III nitrides on sapphire using low temperature interlayers
机译:
使用低温中间层改善蓝宝石上III族氮化物的晶体质量
作者:
H.Amano
;
M.Iwaya
;
N.Hayashi
;
T.Kashima
;
M.Katsuragawa
;
T.Takeuchi
;
C.Wetzel
;
I.Akasaki
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
66.
Inductively coupled plasma etching of III-nitrides in Cl(sub)2/Xe, Cl(sub)2/Ar and Cl(sub)2/He
机译:
Cl(sub)2 / Xe,Cl(sub)2 / Ar和Cl(sub)2 / He中III型氮化物的电感耦合等离子体刻蚀
作者:
H.Cho
;
Y.B.Hahn
;
D.C.Hays
;
K.B.Jung
;
S.M.Donovan
;
C.R.Abernathy
;
S.J.Pearton
;
R.J.Shul
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
67.
Influence of active nitrogen species on the nitridation rate of sapphire
机译:
活性氮种类对蓝宝石氮化率的影响
作者:
A.J.Ptak
;
K.S.Ziemer
;
M.R.Millecchia
;
C.D.Stinespring
;
T.H.Myers
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
68.
Influence of doping on the lattice dynamics of gallium nitride
机译:
掺杂对氮化镓晶格动力学的影响
作者:
A.Kaschner
;
H.Siegle
;
A.Hoffmann
;
C.Thomsen
;
U.Birkle
;
S.Einfeldt
;
D.Hommel
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
69.
Influence of Si-doping on carrier localization of MOCVD-grown InGaN/GaN multiple quanturn wells
机译:
硅掺杂对MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱的载流子局部化的影响
作者:
Y-H.Cho
;
T.J.Schmidt
;
S.Bidnyk
;
J.J.Song
;
S.Keller
;
U.K.Mishra
;
S.P.DenBaars
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
70.
Influence of the first preparation steps on the properties of GaN layers grown on 6H-SiC by MBE
机译:
第一步制备对MBE在6H-SiC上生长的GaN层性能的影响
作者:
R.Lantier
;
A.Rizzi
;
D.Guggi
;
H.Luth
;
B.Neubauer
;
D.Gerthsen
;
S.Frabbont
;
G.Coli
;
R.Cingolani
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
71.
InGaN/GaN/AlGaN-Based LEDs and laser diodes
机译:
基于InGaN / GaN / AlGaN的LED和激光二极管
作者:
S.Nakamura
;
M.Senoh
;
S.Nagahama
;
N.Iwasa
;
T.Matushita
;
T.Mukai
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
72.
Interface effects on the persistent photoconductivity in thin GaN and AlGaN films
机译:
界面对GaN和AlGaN薄膜中持久光电导的影响
作者:
O.P.Seifert
;
O.Kirfel
;
M.Munzel
;
M.T.Hirsch
;
J.Parisi
;
M.Kelly
;
O.Ambacher
;
M.Stutzmann
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
73.
Ion channeling analysis of gallium nitride implanted with deuterium
机译:
注入氘的氮化镓的离子通道分析
作者:
W.R.Wampler
;
S.M.Myers
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
74.
Luminescence from erbium-doped gallium nitride thin films
机译:
掺er氮化镓薄膜的发光
作者:
J.M.Zavada
;
M.Thaik
;
U.Hommerich
;
J.D.MacKenzie
;
C.R.Abernathy
;
F.Ren
;
H.Shen
;
J.Pamulapati
;
H.Jiang
;
J.Lin
;
R.G.Wilson
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
75.
Material properties of GaN in the Context of electron devices
机译:
电子器件中GaN的材料特性
作者:
H.Morkoc
;
R.Cingolani
;
W.Lambrecht
;
B.Gil
;
H-X.Jiang
;
J.Lin
;
D.Pavlidis
;
K.Shenai
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
76.
Mechanism for Radiative recombination in In(sub)0.15Ga(sub)0.85N/GaN multiple quantum well structures
机译:
In(sub)0.15Ga(sub)0.85N / GaN多量子阱结构中的辐射复合机理
作者:
B.Monemar
;
J.P.Bergman
;
J.Dalfors
;
G.Pozina
;
B.E.Semelius
;
P.O.Holtz
;
H.Amano
;
I.Akasaki
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
77.
Mechanisms of Optical Gaing in Cubic GaN and InGaN
机译:
立方GaN和InGaN中的光致变机制
作者:
J.Holst
;
A.Hoffmann
;
I.Broser
;
T.Frey
;
B.Schottker
;
D.J.As
;
D.Schikora
;
K.Lischka
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
78.
Microstructure of GaN grown on (11) Si by MOCVD
机译:
通过MOCVD在(11)Si上生长的GaN的微观结构
作者:
D.M.Follstaedt
;
J.Han
;
P.Provencio
;
J.G.Fleming
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
79.
Modeling of a GaN based static induction transistor
机译:
基于GaN的静态感应晶体管的建模
作者:
G.E.Bunea
;
S.T.Dunham
;
T.D.Moustakas
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
80.
Molecular beam epitaxy of high quality InGaN alloys using ammonia: optical and structural properties
机译:
使用氨的高质量InGaN合金的分子束外延:光学和结构性质
作者:
N.Grandjean
;
J.Massies
;
M.Leroux
;
M.Laugt
;
P.Vennegues
;
S.Dalmasso
;
P.Ruterana
;
L.Hirsch
;
S.Barriere
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
81.
Monitoring and controlling of strain during MOCVD of AlGaN for UV optoelectronics
机译:
紫外光电子AlGaN MOCVD期间的应变监测与控制
作者:
J.Han
;
M.H.Crawford
;
R.J.Shul
;
S.J.Hearne
;
E.Chason
;
J.J.Figiel
;
M.Banas
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
82.
Monte carlo simulation of hall effect in n-type GaN
机译:
n型GaN霍尔效应的蒙特卡洛模拟
作者:
J.D.Albrecht
;
P.P.Ruden
;
E.Bellotti
;
K.F.Brennan
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
83.
Near Detect-free GaN substrates
机译:
无需检测的GaN衬底
作者:
S.Porowski
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
84.
Ni/Si-Based contacts to GaN: Thermally activated structural transformations leading to ohmic behavior
机译:
GaN的基于Ni / Si的触点:热激活的结构转变导致欧姆行为
作者:
E.Kaminska
;
A.Piotrowska
;
J.Jasinski
;
J.Kozubowski
;
A.Barcz
;
K.Golaszewska
;
D.B.Thomson
;
R.F.Davis
;
M.D.Bremser
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
85.
Niln as an ohmic contact to P-GaN
机译:
镍作为P-GaN的欧姆接触
作者:
D.B.Ingerly
;
Y.A.Chang
;
Y.Chen
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
86.
Nitridation of GaAs (001)-2x4 surface studied by auger electron spectroscopy
机译:
用俄歇电子能谱研究GaAs(001)-2x4表面的氮化
作者:
I.Aksenov
;
Y.Nakada
;
M.Okumura
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
87.
* RBS lattice site location and damage recovery studies in GaN
机译:
* GaN中的RBS晶格位置和损伤恢复研究
作者:
E.Alves
;
M.F.DaSilva
;
J.C.Soares
;
J.Bartels
;
R.Vianden
;
C.R.Abernathy
;
S.J.Pearton
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
88.
A critical ocmparison between MOVPE and MBE growth of III-V nitride semiconductor materials for opto-electronic device applications
机译:
光电器件中III-V族氮化物半导体材料的MOVPE和MBE生长之间的关键比较
作者:
M.A.L.Johnson
;
Z.Yu
;
J.D.Brown
;
F.A.Koeck
;
N.A.El-Masry
;
H.S.Kong
;
J.A.Edmond
;
J.W.Cook
;
Jr.
;
J.F.Schetzina
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
89.
Absorption coefficient and retractive index of GaN, AlN; and AlGaN alloys
机译:
GaN,AlN的吸收系数和折射率;和AlGaN合金
作者:
J.F.Muth J.D.Brown
;
M.A.L.Johnson
;
Z.Yu
;
R.M.Kolbas
;
J.W.Cook
;
Jr.
;
J.F.Schetzina
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
90.
Normal and inverted AlGaN/GaN based piezoelectric field effect transistors grown by plasma induced molecular beam epitaxy
机译:
通过等离子诱导分子束外延生长的普通和倒置AlGaN / GaN基压电场效应晶体管
作者:
M.J.Murphy
;
B.E.Foutz
;
K.Chu
;
H.Wu
;
W.Yeo
;
W.J.Schaff
;
O.Ambacher
;
L.F.Eastman
;
T.J.Eustis
;
R.Dimitrov
;
M.Stutzmann
;
W.Rieger
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
91.
Optical absorption, raman; and photoluminescence excitation spectroscopy of inhomogeneous InGaN films
机译:
光吸收,拉曼;异质InGaN薄膜的制备和光致发光激发光谱
作者:
L.H.Robins
;
A.J.Paul
;
C.A.Parker
;
J.C.Roberts
;
S.M.Bedair
;
E.L.Piner
;
N.A.El-Masry
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
92.
Optical and structural properties of AlGaN/GaN quantum wells grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长AlGaN / GaN量子阱的光学和结构性质
作者:
N.Grandjean
;
J.Massies
;
M.Leroux
;
M.Laugt
;
P.Lefebvre
;
B.Gil
;
J.Allegre
;
P.Bigenwald
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
93.
Optical and structural properties of Er(sup)3+-doped GaN Grown by MBE
机译:
MBE生长的掺Er(sup)3+的GaN的光学和结构性质
作者:
K.H.Birkhahn
;
R.Hudgins
;
D.S.Lee
;
B.K.Lee
;
A.J.Steckl
;
A.Saleh
;
R.G.Wilson
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
94.
Optical characterization of erbium doped III-Nitrides prepared by metalorganic molecular beam epitaxy
机译:
金属有机分子束外延制备prepared掺杂的III族氮化物的光学表征
作者:
U.Hommerich
;
J.T.Seo
;
M.Thaik
;
J.D.MacKenzie
;
C.R.Abernathy
;
S.J.Pearton
;
R.G.Wilson
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
95.
Optical gain spectra in InGaN/GaN quantum wells with the compositional fluctuations
机译:
具有成分波动的InGaN / GaN量子阱中的光学增益谱
作者:
T.Uenoyama
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
96.
Optical Investigations of AlGaN on GaN epitaxial films
机译:
GaN外延膜上AlGaN的光学研究
作者:
G.Steude
;
T.Christmann
;
B.K.Meyer
;
A.Goeldner
;
A.Hoffmann
;
F.Bertram
;
J.Christen
;
H.Amano
;
I.Akasaki
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
97.
P-and n-type doping of MBE grown cubic GaN/GaAs epllayers
机译:
MBE生长的立方GaN / GaAs外延层的P型和n型掺杂
作者:
D.J.As
;
T.Simonsmeier
;
J.Busch
;
B.Schottker
;
M.Lubbers
;
J.Mimkes
;
D.Schikora
;
K.Lischka
;
W.Kriegseis
;
W.Burkhardt
;
B.K.Meyer
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
98.
Patterning III-N semiconductors by low energy electron enhanced etching (LE4)
机译:
通过低能电子增强蚀刻(III)图案化III-N半导体
作者:
H.P.Gillis
;
M.B.Christopher
;
K.P.Martin
;
D.A.Choutov
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
99.
Pendeo-epitaxy of gallium nitride and aluminum nitride films and heterostructures on silicon carbide substrate
机译:
碳化硅衬底上氮化镓和氮化铝膜的五元外延和异质结构
作者:
T.Gehrke
;
K.J.Linthicum
;
D.B.Thomson
;
P.Rajagopat
;
A.D.Batchelor
;
R.F.Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
100.
Pendeo-epitaxy-a new approach for lateral growth of gallium nitride structures
机译:
Pendeo-epitaxy-氮化镓结构横向生长的新方法
作者:
T.S.Zheleva
;
S.A.Smith
;
D.B.Thomson
;
T.Gehrke
;
K.J.Linthicum
;
P.Rajagopal
;
E.Carison
;
W.M.Ashmawi
;
R.F.Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
意见反馈
回到顶部
回到首页