Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375-5347;
Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375-5347;
Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375-5347;
Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375-5347;
Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Box 7907, Raleigh, North Carolina 27695-7907;
Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Box 7907, Raleigh, North Carolina 27695-7907;
机译:通过各种技术生长的GaN衬底和外延层中的残留杂质
机译:计算在重要技术衬底上生长的GaN外延层中的残余热应力
机译:计算在具有重要技术意义的衬底上生长的GaN外延层中的残余热应力
机译:GaN外延层中残留供体的位置
机译:具有各种供体,per四羧酸双酰亚胺受体和新型聚乙二醇燕尾的供体-sigma-受体-燕尾化合物的合成和单层性质,以及二价四烷基苯二胺供体前体的合成
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体,受体和陷阱